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    A 4.2 K readout channel in a standard 0.7 μm CMOS process for a photoconductor array camera
    Creten, Ybe ; Putzeys, Jan ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 203-206
    Online unknown
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    New silicon devices beyond CMOS
    Ishii, K. ; Sekigawa, Toshihiro ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 27-30
    Online unknown
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    Parasitic conduction in a 0.13 μm CMOS technology at low temperature
    Augendre, Emmanuel ; Sirnoen, E. ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 61-64
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    CMO : modélisation, identification, calcul de structures et fiabilités
    Thiébaud, F. ; Trivaudey, Frédérique ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-12-01), S. 227-234
    Online unknown
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    Demonstration of an 4.2 K analog switch matrix in a standard 0.7 μ CMOS process
    Putzeys, Jan ; J. De Hert ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 211-213
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    Low temperature operation of ultra-thin gate oxide sub-0.1 μm MOSFETs
    Guégan, G. ; Cretu, B. ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 57-60
    Online unknown
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    Degradation of hard MOS devices at low temperature
    Fourches, N.T.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 15-18
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    RSFQ: The fastest digital technology
    Likharev, Konstantin K.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 12 (2002-05-01), S. 155-155
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dopage laser en microélectronique
    Hernandez, M. ; Sarnet, T. ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 138 (2006-12-01), S. 203-212
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Caractérisation de jonctions ultra-minces réalisées par dopage laser
    Zahorski, D. ; Débarre, Dominique ; et al.
    In: Journal de Physique IV (Proceedings), Jg. 108 (2003-06-01), S. 71-74
    Online unknown
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xxl 1366 -