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    Cd diffusion in CdS/ZnSe MQW heterostructures grown by MOVPE for semiconductor disk lasers
    Butaev, M. R. ; Kozlovsky, Vladimir I. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 880 (2021-11-01), S. 160555-160555
    Online unknown
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    GaAsBi/GaAs MQWs grown by MBE using a two-substrate-temperature technique
    Ishikawa, Fumitaro ; Patil, Pallavi ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 725 (2017-11-01), S. 694-699
    Online unknown
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    Improvement of slope efficiency of GaN-Based blue laser diodes by using asymmetric MQW and InxGa1-xN lower waveguide
    Chen, Ping ; Li, Mo ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 731 (2018), S. 243-247
    Online unknown
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    Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1−xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor
    Xiao, Hongling ; Wang, Cuimei ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 605 (2014-08-01), S. 113-117
    Online unknown
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    Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1−yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1−xN/GaN)MQW/GaN heterostructures
    Wang, Xiaoliang ; Ding, Jieqin ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 523 (2012-05-01), S. 88-93
    Online unknown
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    Near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on maskless periodically grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching
    Yu, Naisen ; Chen, Hong ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 428 (2007), S. 312-315
    Online unknown
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    Enhance the electroluminescence efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells by optimizing the growth temperature of GaN barriers
    Zhao, Degang ; Wang, Xiaowei ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 806 (2019-10-01), S. 1077-1080
    Online unknown
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    Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers
    Luan, Caina ; Shen, Lüyang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 789 (2019-06-01), S. 658-663
    Online unknown
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    Effect of dual-temperature-grown InGaN/GaN multiple quantum wells on luminescence characteristics
    Liang, Feng ; Wang, Wenjie ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 790 (2019-06-01), S. 197-202
    Online unknown
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    Reducing stimulated emission threshold power density of AlGaN/AlN multiple quantum wells by nano-trench-patterned AlN template
    Li, Jinmin ; Wang, Junxi ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 777 (2019-03-01), S. 344-349
    Online unknown
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    Tailoring strain and lattice relaxation characteristics in InGaAs/GaAsP multiple quantum wells structure with phosphorus doping engineering
    Ma, Xiaohui ; Fan, Jie ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 770 (2019), S. 517-522
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    Optical properties of quasi-ordered 112̅2 AlGaN multi-quantum-well nanorod arrays
    Luo, Xuguang ; Chen, Shuai ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 885 (2021-12-01), S. 161166-161166
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    Effect of GaAs insertion layer on the properties improvement of InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown by metal-organic chemical vapor deposition
    Zou, Yonggang ; Wang, Xu ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 872 (2021-08-01), S. 159470-159470
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    Post dry etching treatment of nanopillar GaN/InGaN multi-quantum-wells
    In Hwan Lee ; Shchemerov, Ivan ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 868 (2021-07-01), S. 159211-159211
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Carrier localization in strong phase-separated InGaN/GaN multiple-quantum-well dual-wavelength LEDs
    Gao, Xingguo ; Xu, Yulong ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 726 (2017-12-01), S. 460-465
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparative study on the InGaN multiple-quantum-well solar cells assisted by capacitance-voltage measurement with additional laser illumination
    Zhu, Jianjun ; Yang, Jing ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 725 (2017-11-01), S. 1130-1135
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    Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density
    Zhang, Yun ; Li, Jinmin ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 723 (2017-11-01), S. 192-196
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    Fabrication and properties of self-standing GaN-based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer in neutral electrolyte
    Liu, Jianqiang ; Ma, Jin ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 722 (2017-10-01), S. 767-771
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    Optical and microstructural properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with embedded graphene coating
    Cho, Chu-Young ; Jong Hwa Lee ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 713 (2017-08-01), S. 87-94
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    Carrier localization and defect-insensitive optical behaviors of ultraviolet multiple quantum wells grown on patterned AlN nucleation layer
    Li, Liang ; Xu, Houqiang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 861 (2021-04-01), S. 157589-157589
    Online unknown
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