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    Study on the influence of variable temperature growth on the properties of highly strained InGaAs/GaAs MQWs grown by MOCVD
    Wang, Quhui ; Ma, Xiaohui ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 937 (2023-03-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Improvement of slope efficiency of GaN-Based blue laser diodes by using asymmetric MQW and InxGa1-xN lower waveguide
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 731 (2018-01-15), S. 243-247
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    GaAsBi/GaAs MQWs grown by MBE using a two-substrate-temperature technique
    Patil, Pallavi Kisan ; Ishikawa, Fumitaro ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 725 (2017-11-25), S. 694-699
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Theoretical calculations of absorption spectra of GaNAsBi-based MQWs operating at 1.55 μm
    Ben Nasr, A. ; Habchi, M.M. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 647 (2015-10-25), S. 159-166
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1−yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1−xN/GaN)MQW/GaN heterostructures
    Ding, Jieqin ; Wang, Xiaoliang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 523 (2012-05-15), S. 88-93
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1―xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor
    WEI, LI ; XIAOLIANG, WANG ; et al.
    In: Journal of alloys and compounds, Jg. 605 (2014), S. 113-117
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Study on the influence of variable temperature growth on the properties of highly strained InGaAs/GaAs MQWs grown by MOCVD
    Wang, Quhui ; Ma, Xiaohui ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 937 (2023-03-01), S. 168075-168075
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1―yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1―xN/GaN)MQW/GaN heterostructures
    JIEQIN, DING ; XIAOLIANG, WANG ; et al.
    In: Journal of alloys and compounds, Jg. 523 (2012), S. 88-93
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1−xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor
    Li, W. ; Wang, X. ; et al.
    In: JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Jg. 605 (2014), S. 113-117
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on maskless periodically grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching
    Yu, N.S. ; Guo, L.W. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 428 (2007), Heft 1, S. 312-315
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures
    Ding, J. ; Wang, X. ; et al.
    In: JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Jg. 523 (2012), S. 88-93
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Cd diffusion in CdS/ZnSe MQW heterostructures grown by MOVPE for semiconductor disk lasers
    Butaev, M. R. ; Kozlovsky, Vladimir I. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 880 (2021-11-01), S. 160555-160555
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    GaAsBi/GaAs MQWs grown by MBE using a two-substrate-temperature technique
    Ishikawa, Fumitaro ; Patil, Pallavi ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 725 (2017-11-01), S. 694-699
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improvement of slope efficiency of GaN-Based blue laser diodes by using asymmetric MQW and InxGa1-xN lower waveguide
    Chen, Ping ; Li, Mo ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 731 (2018), S. 243-247
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
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    academicJournal
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1−xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor
    Xiao, Hongling ; Wang, Cuimei ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 605 (2014-08-01), S. 113-117
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1−yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1−xN/GaN)MQW/GaN heterostructures
    Wang, Xiaoliang ; Ding, Jieqin ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 523 (2012-05-01), S. 88-93
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on maskless periodically grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching
    Yu, Naisen ; Chen, Hong ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 428 (2007), S. 312-315
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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