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    A first-principles study of carbon-related energy levels in GaN. I. Complexes formed by substitutional/interstitial carbons and gallium/nitrogen vacancies.
    Matsubara, Masahiko ; Bellotti, Enrico
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-05-21), Heft 19, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Quantitative control and detection of heterovalent impurities in ZnO thin films grown by pulsed laser deposition.
    Sumiya, M. ; Fuke, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-03-01), Heft 5, S. 2562-2569
    Online academicJournal
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    Substitutional and interstitial carbon in wurtzite GaN.
    Wright, A. F.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-09-01), Heft 5, S. 2575-2585
    Online academicJournal
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    First-principles study of carbon impurities in CuInSe2 and CuGaSe2, present in non-vacuum synthesis methods.
    Bekaert, J. ; Saniz, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-01-07), Heft 1, S. 15104-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Direct measurement of CAs in group III+C coimplanted GaAs.
    Madok, J. H. ; Haegel, N. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 75 (1994-04-15), S. 3829-3834
    Online academicJournal
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    Doping effects of C, Si and Ge in wurtzite [0001] GaN, AlN, and InN nanowires.
    Colussi, M. L. ; Baierle, R. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-08-01), Heft 3, S. 033709-33709
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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