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    Three-dimensional shapes and distribution of FePd nanoparticles observed by electron tomography using high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy.
    Sato, Kazuhisa ; Aoyagi, Kenta ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-01-15), Heft 2, S. 24304-24310
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    Calculation of hole mobility in doped SiGe alloys using a Monte Carlo method with a bond orbital band structure.
    Liou, Tsyr-Shyang ; Wang, Tahui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-10-15), S. 4749-4752
    Online academicJournal
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    Relativistic band structure calculation of cubic and hexagonal SiC polytypes.
    Persson, C. ; Lindefelt, U.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 82 (1997-12-01), S. 5496-5508
    Online academicJournal
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    Mechanical vibration of freely suspended ferroelectric liquid-crystal film excited by sound and electric field.
    Uto, Sadahito ; Tazoh, Eisuke ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 82 (1997-09-15), S. 2791-2794
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    Enhancement of conduction-band effective mass in III-V semiconductor alloys induced by chemical disorder.
    Fan, J. C. ; Chen, Y. F.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-12-15), S. 6761-6765
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    Optical absorption of p-type GexSi1-x quantum wells.
    Fu, Y. ; Willander, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996-03-15), S. 3103-3107
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    The effects of strain on the threshold current density in InGaAsP/InP strained-layer single-quantum-well lasers.
    Seki, Shunji ; Yokoyama, Kiyoyuki
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-09-15), S. 3250-3254
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    Numerical study of the wave-vector dependence of the electron interband impact ionization rate in bulk GaAs.
    Wang, Yang ; Brennan, Kevin F.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-07-15), S. 974-981
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    Monte Carlo based calculations of hole transport including the hole-plasmon interaction in degenerate bulk GaAs.
    Mansour, Nabil S. ; Wang, Yang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 75 (1994-04-15), S. 4009-4015
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