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    Simulations of hydrogen outgassing from a carbon fiber electrode
    Joshi, Ravindra P. ; Sami, Sayeed N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-06-07), S. 213303-213303
    Online unknown
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    An in-depth description of bipolar resistive switching in Cu/HfOx/Pt devices, a 3D kinetic Monte Carlo simulation approach
    Long, Shibing ; Aldana, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-04-21), S. 154501-154501
    Online unknown
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    Engineering amorphous-crystalline interfaces in TiO2−x/TiO2−y-based bilayer structures for enhanced resistive switching and synaptic properties
    Asenov, P. ; Sakellaropoulos, Dionisis ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-21), S. 154501-154501
    Online unknown
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    Electric field induced charge migration and formation of conducting filament during resistive switching in electrochemical metallization (ECM) memory cells
    Cha, Pil-Ryung ; Roy, Arijit
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-11-28), S. 205102-205102
    Online unknown
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    Thermal assisted reset modelling in nickel oxide based unipolar resistive switching memory
    Panda, Debashis ; Paritosh Piyush Sahu
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-05-28), S. 204504-204504
    Online unknown
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    Investigating the origins of high multilevel resistive switching in forming free Ti/TiO2−x-based memory devices through experiments and simulations
    Karageorgiou, I. ; Tsoukalas, Dimitris ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-03-07), S. 094501-94501
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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