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    Bias temperature stress induced hydrogen depassivation from Al2O3/InGaAs interface defects
    McIntyre, Paul C. ; Droopad, Ravi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-01-14), S. 025708-25708
    Online unknown
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    Admittance and subthreshold characteristics of atomic-layer-deposition Al2O3 on In0.53Ga0.47As in surface and buried channel flatband metal-oxide-semiconductor field effect transistors
    Thayne, Iain G. ; Ahn, Jaesoo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-05-15), S. 104112-104112
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of annealing ambient and temperature on the electrical characteristics of atomic layer deposition Al2O3/In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitors and MOSFETs
    H.-S. Philip Wong ; Hu, Jenny
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-02-15), S. 044105-44105
    Online unknown
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    Investigation of stability of the effective work function on LaAlO3 and La2Hf2O7
    Suzuki, Masamichi ; Schimizu, Tatsuo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-03-15), S. 064105-64105
    Online unknown
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    Work function thermal stability of RuO2-rich Ru–Si–O p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor gate electrodes
    Manke, C. ; Štrbík, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-04-01), S. 073702-73702
    Online unknown
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    A flatter gallium profile for high-efficiency Cu(In,Ga)(Se,S)2 solar cell and improved robustness against sulfur-gradient variation
    Lin, Albert ; Lee, Wen-Chin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-07), S. 094502-94502
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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