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    Particle-induced conductivity and photoconductivity of silicon under 17 MeV proton irradiation
    Kono, Kenichiro ; Kishimoto, Naoki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-01), S. 4834-4841
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    Refractive index profiles of LiB3O5 waveguides formed by MeV He ion irradiation
    Lu, Fei ; Wang, Ke-Ming ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), S. 3551-3553
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    Reduction of secondary defects in MeV ion‐implanted silicon by means of ion beam defect engineering
    Liefting, J. R. ; Wang, Zhong-Lie ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 71 (1992-04-15), S. 3780-3784
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    The effects of 1 MeV electron irradiation on the current‐voltage characteristics of Au/p‐InP structures
    Thomas, H. ; Luo, Jikui
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-04-15), S. 3709-3715
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    Sub-meV photoluminescence linewidth and >106cm2∕Vs electron mobility in AlGaAs∕GaAs quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy on slightly misoriented substrates
    Levy, E. ; Oberli, D. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-05-01), S. 093515-93515
    Online unknown
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    Infrared Properties of 40–60 MeV Electron‐Irradiated Germanium
    Becker, J. F. ; Corelli, J. C.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1965-11-01), S. 3606-3609
    Online unknown
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    MeV‐energy As+implantation into Si: Extended‐defect reduction and planarn‐p‐ntransistor fabrication
    Takahashi, Mitsutoshi ; Kajiyama, Kenji ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 54 (1983-10-01), S. 6041-6043
    Online unknown
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    MeV implantation masking using an aluminum gallium arsenide metal liftoff layer
    Bryan, R. P. ; Coleman, James J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 66 (1989-07-15), S. 982-983
    Online unknown
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    Nanoscale Schottky barrier visualization utilizing computational modeling and ballistic electron emission microscopy
    Nolting, Westly ; Durcan, Chris ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-06-28), S. 245302-245302
    Online unknown
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    Temperature and pressure behavior of the emission bands from Mn-, Cu-, and Eu-doped ZnS nanocrystals
    Ding, Kun ; Ma, B. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-04-01), S. 3344-3349
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Rapid thermal annealing of GaNxAs1−x grown by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy and its effect on photoluminescence
    Soon Fatt Yoon ; Wang, S. Z. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-04-15), S. 4900-4903
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As multiple quantum wells with InGaAs and dielectric capping layers
    Lim, H. ; Jin Dong Song ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-02-15), S. 2080-2084
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Numerical simulation of hot electron interference in a solid state biprism: Conditions for interference observation
    Machida, Nobuya ; Furuya, Kazuhito
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-09-01), S. 2885-2891
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    Photoluminescence and cathodoluminescence of GaN doped with Pr
    Jadwisienczak, Wojciech M. ; Lozykowski, H. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-07-01), S. 210-222
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigation of donor-acceptor pair luminescence from ZnSe:N epilayers
    Giles, Nancy C. ; Moldovan, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-15), S. 5743-5749
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Nonuniform vertical charge transport and relaxation in quantum well infrared detectors
    Silvestrov, V. G. ; Buchanan, Margaret ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-01-15), S. 991-997
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Band offsets at the GaInP/GaAs heterojunction
    Nieminen, Risto M. ; Paalanen, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 82 (1997-10-01), S. 3374-3380
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The calculation and the photoluminescence characterization of energy levels in a strained GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs quantum well heterostructure for the application of light-emitting real-space transfer devices
    Yeh, Yung-Hui ; Joseph Ya-min Lee
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 81 (1997-05-15), S. 6921-6927
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Formation of EL2, As<font>Ga</font>and U band in irradiated GaAs: Effects of annealing
    Carlone, Cosmo ; Jorio, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-08-01), S. 1364-1369
    Online unknown
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    Photoconductive spectroscopy of diamond grown by chemical vapor deposition
    Allers, L. ; Collins, A. T.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-04-15), S. 3879-3884
    Online unknown
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