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    MeV proton elastic backscattering analysis of silicon nitride and oxide layers on silicon
    WEILIN, J ; PEIRAN, Z ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 70 (1991), Heft 5, S. 2610-2613
    Online academicJournal
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    Production and aging of paramagnetic point defects in P-doped floating zone silicon irradiated with high fluence 27 MeV electrons
    Nistor, S. V. ; Joita, A. C.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-04-28), S. 161531-161531
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Influence of 20 MeV electron irradiation on the optical properties and phase composition of SiOx thin films
    Nesheva, Diana ; Hristova-Vasileva, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-05-21), S. 195303-195303
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Reduction of boride enhanced diffusion in MeV-implanted silicon
    Bleiler, Roger J. ; Chen, Hui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-11-15), S. 5793-5797
    Online unknown
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    High energy (MeV) ion-irradiated π-conjugated polyaniline: Transition from insulating state to carbonized conducting state
    Beag, Y. W. ; Kim, Howon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-08-15), S. 1914-1918
    Online unknown
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    Photoluminescence, deep level transient spectroscopy and transmission electron microscopy measurements on MeV self-ion implanted and annealed n-type silicon
    Davies, G ; Jagadish, Chennupati ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-09-01), S. 2309-2317
    Online unknown
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    Cavities and dislocations induced in silicon by MeV He implantation
    Erramli, H. ; Sauvage, Thierry ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-03-01), S. 2158-2161
    Online unknown
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    Radiation-induced junction formation behavior of boron-doped Czochralski and float zone silicon crystals under 3 MeV proton irradiation
    Huh, J. Y. ; Kim, Donghwan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-11-01), S. 5617-5622
    Online unknown
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    The effect of as-implanted damage on the microstructure of threading dislocations in MeV implanted silicon
    Poate, J. M. ; Jacobson, D. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-08-01), S. 1221-1225
    Online unknown
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    Growth mechanism of cavities in MeV helium implanted silicon
    Labhom, F. ; Godey, Sylvie ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-06-01), S. 9027-9030
    Online unknown
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    Latent track formation in GaAs irradiated with 20, 30, and 40 MeV fullerenes
    Ramos, Stella M. M. ; Portier, X. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-05-01), S. 5853-5857
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Mechanism of iron gettering in MeV Si ion implanted epitaxial silicon
    Koveshnikov, Sergei V. ; Rozgonyi, George A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-15), S. 3078-3084
    Online unknown
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    Effects of MeV ion irradiation of thin cubic boron nitride films
    John E.E. Baglin ; Kellock, Andrew J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-03-15), S. 2980-2987
    Online unknown
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    Evolution of defect complexes in silicon single crystals with heavy fluence 10 MeV proton irradiation
    Matsuda, Sumio ; Yamaguchi, Masafumi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-03-01), S. 2162-2168
    Online unknown
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    Elastic scattering cross sections for the p+He system in the energy region of 1.4–24 MeV
    Nurmela, A. ; Räisänen, Jyrki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 82 (1997-09-01), S. 1983-1988
    Online unknown
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    Quantitative characterization of ion-induced SiO2/Si interface traps by means of MeV He single-ion irradiation
    Sawara, S. ; Matsukawa, Takashi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-06-01), S. 7814-7818
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    2 MeV electron irradiation of silicon at elevated temperatures: Influence on platinum diffusion and creation of electrically active defects
    Svensson, Birte ; Godey, Sylvie ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-04-01), S. 3556-3560
    Online unknown
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    Experimental study on the feasibility of hot plasmas as stripping media for MeV heavy ions
    Sakumi, A. ; Ogawa, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-04-15), S. 4833-4839
    Online unknown
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    Particle-induced conductivity and photoconductivity of silicon under 17 MeV proton irradiation
    Kono, Kenichiro ; Kishimoto, Naoki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-01), S. 4834-4841
    Online unknown
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    In situ laser reflectometry study of the amorphization of silicon carbide by MeV ion implantation
    Skorupa, Wolfgang ; Henkel, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-15), S. 3090-3097
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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