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    Overcoming anomalous suppression of m-plane AlGaN growth by molecular-beam epitaxy using indium as a surfactant
    Diaz, Rosa E. ; Dzuba, Brandon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-09-14), S. 105702-105702
    Online unknown
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    Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1−xN/GaN multiple quantum wells
    Zhang, Z.Y. ; Lu, Wenjun ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-04-15), S. 4362-4366
    Online unknown
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    Nonlinear absorption temporal dynamics of Fe-doped GaInAs/InP multiple quantum wells
    Loualiche, Slimane ; A. Le Corre ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-08-15), S. 2355-2359
    Online unknown
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    Influence of free carrier screening on the luminescence energy shift and carrier lifetime of InGaN quantum wells
    Tackeuchi, Atsushi ; Kuroda, T.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-09-15), S. 3071-3074
    Online unknown
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    Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As multiple quantum wells with InGaAs and dielectric capping layers
    Lim, H. ; Jin Dong Song ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-02-15), S. 2080-2084
    Online unknown
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    Influence of strain relaxation on structural and optical characteristics of InGaN/GaN multiple quantum wells with high indium composition
    Lee, Jung-Yeal ; Gye Mo Yang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-02-01), S. 1166-1170
    Online unknown
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    Optical properties of as-grown and annealed InAs(N)/InGaAsP strained multiple quantum wells
    Chen, Guan-Ru ; Shih, Ding-Kang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-12-15), S. 6230-6235
    Online unknown
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    28 ps recovery time in an InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well saturable absorber employing carrier sweepout
    Song, J.B. ; Button, C.C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-10-01), S. 3566-3569
    Online unknown
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    Modulation doped InGaAsP quantum well laser emitting at 1.55 μm
    Dutta, N. K. ; Choudhury, N.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-07-01), S. 38-42
    Online unknown
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    Effect of growth temperature on the electric properties of In0.12Ga0.88As/GaAs p-i-n multiple-quantum-well diodes
    Wang, J. S. ; Wong, H. Z. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-06-01), S. 8074-8079
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Thermoexcited and photoexcited carrier transports in a GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
    Willander, Magnus ; Li, Na ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000), S. 511-516
    Online unknown
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    Atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy for the fabrication of multi-quantum-well solar cells
    Kikuchi, Takatoshi ; Kawabe, Mitsuo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-11-15), S. 5858-5861
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Degradation of InGaAsP/InP-based multiquantum-well lasers
    Bäckström, Jakob ; Stoltz, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-09-01), S. 2397-2406
    Online unknown
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    Characterization of p-dopant interdiffusion in 1.3 μm InGaAsP/InP laser structures using modulation spectroscopy
    Sun, Wenlu ; Jaeger, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-08-15), S. 2020-2024
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optical and structural studies of the effect of spacers in modulation-doped ZnSe/Zn1−xCdxSe quantum wells
    Petrou, Athos ; Zhao, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-07-15), S. 891-895
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Time-resolved photoluminescence measurements of quantum dots in InGaN multiple quantum wells and light-emitting diodes
    Karlicek, Robert F. ; Ferguson, Ian T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-07-15), S. 1114-1118
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High-resolution x-ray and transmission electron microscopic analysis of a GaInAsSb/AlGaAsSb multiple quantum well laser structure
    Lee, H. ; Newell, T.C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-06-01), S. 7664-7670
    Online unknown
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    Photoluminescence quenching in Si1−xGex/Si multiple quantum wells grown with atomic hydrogen
    Amirtharaj, Paul M. ; Thompson, Phillip E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-03-01), S. 2875-2880
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characterization of InGaAsP/InP p-i-n solar cell structures using modulation spectroscopy and secondary ion mass spectrometry
    Focht, Marlin W. ; Wang, W. B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-02-01), S. 1921-1926
    Online unknown
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    In1−xGaxAs1−yPy/InP multiple quantum well solar cell structures
    Reynolds, C. L. ; Raisky, O. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-15), S. 5790-5794
    Online unknown
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xs 0 - 576
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