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    Positive bias temperature instability of HfO2-based gate stacks at reduced thermal budget for future CMOS technologies
    Collaert, Nadine ; Heyns, M.M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-09-14), S. 104101-104101
    Online unknown
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    Bias temperature instability model using dynamic defect potential for predicting CMOS aging
    Ivan Sanchez Esqueda ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-06-14), S. 225701-225701
    Online unknown
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    Kerr nonlinearity induced four-wave mixing of CMOS-compatible PECVD deposited ultra-Si-rich-nitride
    Feng, Qi ; Wang, Jian-Huan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-07-07), S. 013102-13102
    Online unknown
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    Performance of current-in-plane pseudo-spin-valve devices on CMOS silicon-on-insulator underlayers
    Schipper, D. ; Kaakani, Hassan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-05-15), S. 7298-7300
    Online unknown
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    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)
    Yan, Jiang ; Radamson, Henry H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), S. 123511-123511
    Online unknown
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    Pulsed laser deposition of piezoelectric lead zirconate titanate thin films maintaining a post-CMOS compatible thermal budget
    Pantel, Daniel ; Schatz, Andreas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-09-21), S. 114502-114502
    Online unknown
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    Tunable band alignment and dielectric constant of solution route fabricated Al/HfO2/Si gate stack for CMOS applications
    Mondal, Sandip ; Kumar, Arvind ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-28), S. 085301-85301
    Online unknown
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    Magneto-optical observation of the latchup effect in CMOS ICs induced by uniform and local irradiation
    Egorov, Andrey N. ; Lebedev, Sergey V.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002), S. 7006-7006
    Online unknown
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    Electrically active stacking faults in CMOS integrated circuits
    Marcus, R. B. ; Haszko, S. E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 50 (1979-04-01), S. 2689-2696
    Online unknown
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    Design and demonstration of antenna-coupled Schottky diodes in a foundry complementary metal-oxide semiconductor technology for electronic detection of far-infrared radiation
    Ahmad, Z. ; Lisauskas, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-21), S. 194501-194501
    Online unknown
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    Differential luminescent imaging method
    Sakaue, Hirotaka ; Hayashi, Tatsunori
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 127 (2020-02-21), S. 074502-74502
    Online unknown
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    Multispectral and polarimetric photodetection using a plasmonic metasurface
    Pelzman, Charles ; Cho, Sang-Yeon
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-01-28), S. 043107-43107
    Online unknown
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    Nanoscale metal-InGaAs contacts with ultra-low specific contact resistivity: Improved interfacial quality and extraction methodology
    Kumar, Annie ; Masudy-Panah, Saeid ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-01-14), S. 024508-24508
    Online unknown
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    High-κ gate dielectrics: Current status and materials properties considerations
    Wilk, G. D. ; Anthony, J. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-05-15), S. 5243-5275
    Online unknown
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    High density submicron magnetoresistive random access memory (invited)
    Tehrani, Saied N. ; Eugene Youjun Chen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-04-15), S. 5822-5827
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Theoretical study of potential performance of armchair graphene nanoribbon field effect transistors: Dependence on channel dimensions and contact resistance
    Kim, Deok-kee ; Hur, Ji-Hyun
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-12-21), S. 234304-234304
    Online unknown
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    Superior endurance performance of nonvolatile memory devices based on discrete storage in surface-nitrided Si nanocrystals
    Huang, Xinfan ; Wang, Lingling ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-28), S. 044507-44507
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    Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
    Antoniadis, Dimitri A. ; Lee, Minjoo L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), S. 3745-3751
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Design and fabrication of a perpendicular magnetic tunnel junction based nonvolatile programmable switch achieving 40% less area using shared-control transistor structure
    Mochizuki, Akira ; Natsui, Masanori ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 115 (2013-09-23), Heft 17
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    Millimeter wave complementary metal–oxide–semiconductor on-chip hexagonal nano-ferrite circulator
    Chao, Liu ; Oukacha, Hassan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), S. 17C123
    Online unknown
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xs 0 - 576
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