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    20 meV-deep donor level in InN film of 0.76 eV band gap grown by plasma-assisted nitrogen source.
    Wang, S. Z. ; Yoon, S. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-06-15), Heft 12, S. 7998-8001
    Online academicJournal
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    Mechanical properties of 6H-SiC irradiated by neutron and MeV heavy ions: A nanoindentation and finite element method study
    Chen, Xiaofei ; Zhou, Wei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-01-14), Heft 2
    Online academicJournal
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    Nanoscale defect formation on InP (111) surfaces after MeV Sb implantation.
    Paramanik, Dipak ; Pradhan, Asima ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006), Heft 1, S. 14304-14310
    Online academicJournal
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    Annealing behavior of MeV implanted carbon in silicon
    ISOMAE, S ; ISHIBA, T ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 6, S. 3815-3820
    Online academicJournal
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    Thermally stable, buried high-resistance layers in p-type InP obtained by MeV energy Ti implantation
    MARTIN, J. M ; NADELLA, R. K ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 11, S. 7238-7243
    Online academicJournal
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    Buried SiO2 layer formation in Si with an MeV O ion beam
    ELLINGBOE, S ; RIDGWAY, M. C ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 3, S. 1133-1138
    Online academicJournal
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    Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy (2 MeV) Si<superscript>+</superscript> implantation.
    Nobili, D. ; Solmi, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-06-01), Heft 11, S. 6092-6097
    Online academicJournal
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    Use of MeV O+ ion implantation for isolation of GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors
    PEARTON, S. J ; REN, F ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 10, S. 4949-4954
    Online academicJournal
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    Reduction of secondary defects in MeV ion-implanted silicon by means of ion beam defect engineering
    ZHONG-LIE, WANG ; BO-XU, ZHANG ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 8, S. 3780-3784
    Online academicJournal
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    Optical doping of waveguide materials by MeV Er implantation
    POLMAN, A ; JACOBSON, D. C ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 70 (1991), Heft 7, S. 3778-3784
    Online academicJournal
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    MeV Be implantation in GaAs
    RAO, M. V ; THOMPSON, P. E ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 67 (1990), Heft 10, S. 6165-6170
    Online academicJournal
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    Radiation damage behavior of LiNbO3 crystal by MeV F ion implantation
    BO-RONG, SHI ; KE-MING, WANG ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 3, S. 1625-1628
    Online academicJournal
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    Defects in MeV Si-implanted Si probed with positrons
    NIELSEN, B ; HOLLAND, O. W ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 3, S. 1636-1639
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    The effects of 1 MeV electron irradiation on the current-voltage characteristics of Au/p-InP structures
    THOMAS, H ; LUO, J. K
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 8, S. 3709-3715
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    MeV energy Fe and Co implants to obtain buried high resistance layers and to compensate donor implant tails in InP
    VELLANKI, J ; NADELLA, R. K ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 3, S. 1126-1132
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    Characterization of deep-level defects in GaAs irradiated by 1 MeV electrons
    LAI, S. T ; NENER, B. D ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 2, S. 640-647
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    Generation of divacancies in silicon by MeV electrons : dose rate dependence and influence of Sn and P
    SVENSSON, B. G ; LENNART LINDSTRÖM, J
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 12, S. 5616-5621
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    Site transfer of Si in GaAs after heavy ion MeV implantation and annealing
    MOORE, F. G ; KLEIN, P. B ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 7, S. 2692-2699
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    Reduction of crystalline disorder in molecular beam epitaxy GaAs on Si by MeV ion implantation and subsequent annealing
    GUANGMING, XIAO ; SHIDUAN, YIN ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 10, S. 4843-4847
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    MeV B compensation implants into n-type GaAs and InP
    NADELLA, R. K ; VELLANKI, J ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 6, S. 2179-2184
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