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    Design and implementation of bound-to-quasibound GaN/AlGaN photovoltaic quantum well infrared photodetectors operating in the short wavelength infrared range at room temperature.
    Mensz, Piotr M. ; Dror, Ben ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-07), Heft 17, S. N.PAG- (9S.)
    Online academicJournal
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    Optical characterization of two-dimensional charge density in GaAs-(Al0.3Ga0.7As) multiple quantum wells.
    Liu, D. W. ; Brody, E. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-01-15), S. 726-729
    Online academicJournal
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    Absorption spectroscopy on room temperature excitonic transitions in strained layer InGaAs/InGaAlAs multiquantum-well structures.
    Hirayama, Y. ; Choi, Woo-Young ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-07-01), S. 570-578
    Online academicJournal
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    Subnanosecond far infrared photoconductivity from a GaAs/AlGaAs multiquantum well.
    de Bekker, R. E. M. ; Chamberlain, J. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-08-15), S. 1913-1915
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Electroluminescence efficiency of blue InGaN∕GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer
    Sheu, Jinn-Kong ; Otsuji, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006), S. 113105-113105
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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