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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Perspective on active submillimeter electromagnetic wave imaging using CMOS integrated circuits technologies.
    O, Kenneth K. ; Choi, Wooyeol ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-04-21), Heft 15, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Switching mechanisms of CMOS-compatible ECRAM transistors—Electrolyte charging and ion plating.
    Tessler, Nir ; Kim, Nayeon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-08-21), Heft 7, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Plasma processing for advanced microelectronics beyond CMOS.
    Marchack, N. ; Buzi, L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-08-28), Heft 8, S. 1-21
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Positive bias temperature instability of HfO2-based gate stacks at reduced thermal budget for future CMOS technologies.
    Claes, D. ; Franco, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-09-14), Heft 10, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Kerr nonlinearity induced four-wave mixing of CMOS-compatible PECVD deposited ultra-Si-rich-nitride.
    Cong, Hui ; Feng, Qi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-07-07), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatible gallium arsenide metal-semiconductor-metal photodetectors (GaAs MSMPDs) on silicon using ultra-thin germanium buffer layer for visible photonic applications.
    Dushaq, Ghada ; Nayfeh, Ammar ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-21), Heft 19, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Pulsed laser deposition of piezoelectric lead zirconate titanate thin films maintaining a post-CMOS compatible thermal budget.
    Schatz, A. ; Pantel, D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-09-21), Heft 11, S. 114502-1- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Bias temperature instability model using dynamic defect potential for predicting CMOS aging.
    Fang, Runchen ; Livingston, Ian ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-06-11), Heft 22, S. N.PAG- (9S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Plasma processing for advanced microelectronics beyond CMOS
    Papalia, John M. ; Totir, George G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-08-28), S. 080901-80901
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS compatible electrode materials selection in oxide-based memory devices.
    Zhuo, V. Y. Q. ; Li, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-14), Heft 2, S. 24504-1- (7S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Positive bias temperature instability of HfO2-based gate stacks at reduced thermal budget for future CMOS technologies
    Collaert, Nadine ; Heyns, M.M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-09-14), S. 104101-104101
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Tunable band alignment and dielectric constant of solution route fabricated Al/HfO<subscript>2</subscript>/Si gate stack for CMOS applications.
    Kumar, Arvind ; Mondal, Sandip ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-28), Heft 8, S. 1-8
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Tunable band alignment and dielectric constant of solution route fabricated Al/HfO2/Si gate stack for CMOS applications.
    Kumar, Arvind ; Mondal, Sandip ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-28), Heft 8, S. 1-8
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS).
    Wang, G. L. ; Moeen, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), Heft 12, S. 123511-123517
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Bias temperature instability model using dynamic defect potential for predicting CMOS aging
    Ivan Sanchez Esqueda ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-06-14), S. 225701-225701
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electrically active stacking faults in CMOS integrated circuits.
    Dishman, J. M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 50 (1979-04-01), S. 2689-2696
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CMOS compatible electrode materials selection in oxide-based memory devices
    V. Y.-Q. Zhuo ; Li, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-14), Heft 2
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Physical mechanism of progressive breakdown in gate oxides.
    Palumbo, Felix ; Lombardo, Salvatore ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-06-14), Heft 22, S. 224101-1- (7S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Performance of current-in-plane pseudo-spin-valve devices on CMOS silicon-on-insulator underlayers.
    Katti, R. R. ; Zou, D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-05-15), Heft 10, S. 7298-7300
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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