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    Enhanced thermally induced stress effect on an ultrathin gate oxide.
    Su, Jiann-Liang ; Hong, Chao-CHi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-04-15), Heft 8, S. 5423-5428
    Online academicJournal
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    Anomalous low-voltage tunneling characteristics of ultrathin gate oxide (∼2 nm) after high-field stress.
    Huang, Chia-Hong ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-05-15), Heft 10, S. 5497-5501
    Online academicJournal
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    Stress effect on the kinetics of silicon thermal oxidation.
    Yen, Jui-Yuan ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 3027-3032
    Online academicJournal
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    Coherence-enhanced synchrotron radiology: refraction versus diffraction mechanisms.
    Hwu, Y. ; Hsieh, H. H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-10-15), Heft 8, S. 4613-4618
    Online academicJournal
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    Clockwise C-V hysteresis phenomena of metal-tantalum-oxide-silicon-oxide-silicon p capacitors due to leakage current through tantalum oxide.
    Hwu, Jenn-Gwo ; Jeng, Ming-Jer ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 62 (1987-11-15), S. 4277-4283
    Online academicJournal
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    Microscopic manipulation of homojunction band lineups.
    Marsi, M. ; La Rosa, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 71 (1992-02-15), S. 2048-2050
    Online academicJournal
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    Valence-band states of ion-bombarded polystyrene.
    Terrasi, A. ; Foti, G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 70 (1991-08-01), S. 1885-1887
    Online academicJournal
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    Beam focusing in semiconductor directional couplers with saturated gain.
    Hwu, R. J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-06-15), S. 4529-4531
    Online academicJournal
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    Optical switching in the semiconductor directional coupler with saturated gain.
    Hwu, R. J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-03-01), S. 2137-2139
    Online academicJournal
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    Enhanced irradiance sensitivity of 4H-SiC based ultraviolet sensor introducing laterally gated Al/SiO<subscript>2</subscript>/SiC tunnel diode structure with low gate bias.
    Chang, P. K. ; Hwu, J. G.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-07-14), Heft 2, S. N.PAG- (6S.)
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enhanced irradiance sensitivity of 4H-SiC based ultraviolet sensor introducing laterally gated Al/SiO2/SiC tunnel diode structure with low gate bias.
    Chang, P. K. ; Hwu, J. G.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-07-14), Heft 2, S. N.PAG- (6S.)
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    pH dependence of synchrotron x-ray induced electroless nickel deposition
    Borse, P. H. ; Yi, J. M. ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 95 (2004), Heft 3, S. 1166-1170
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Synchrotron radiographic study and computer simulation of reactions between micropipes in silicon carbide
    Gutkin, M. Y. ; Sheinerman, A. G. ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 94 (2003), Heft 11, S. 7076-7082
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Thermal stress at wafer contact points in rapid thermal processing investigated by repeated spike treatment before oxidation
    Hong, C. C. ; Chang, C. Y. ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 93 (2003), Heft 4, S. 2225-2228
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ramification of micropipes in SiC crystals
    Gutkin, M. Y. ; Sheinerman, A. G. ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 92 (2002), Heft 2, S. 889-894
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Microstructures of GaN islands on a stepped sapphire surface
    Kim, C. C. ; Je, J. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 91 (2002), Heft 7, S. 4233-4237
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of neighboring coupling on metal-insulator-semiconductor (MIS) deep-depletion tunneling current via Schottky barrier height modulation mechanism
    Yang, Ming-Han ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of applied physics, Jg. 121 (2017), Heft 15
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Anomalous low-voltage tunneling current characteristics of ultrathin gate oxide (∼2 nm) after high-field stress
    Huang, C. H. ; Hwu, J. G.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 89 (2001), Heft 10, S. 5497-5501
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    Evidence for Pd bonding with Si intermediate oxidation states
    FARACI, G ; LA ROSA, S ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 2, S. 749-754
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    Structural analysis of Sr~8Ga~1~6Ge~3~0 clathrate compound
    Schujman, S. B. ; Nolas, G. S. ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 87 (2000), Heft 3, S. 1529-1533
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