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    Role of ultrathin Ti3C2Tx MXene layer for developing solution-processed high-performance low voltage metal oxide transistors.
    Rawat, Ankita ; Pandey, Utkarsh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-21), Heft 19, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Improved crystallographic order of ScAlN/GaN heterostructures grown at low temperatures under metal rich surface conditions.
    Motoki, Keisuke ; Engel, Zachary ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-04-07), Heft 13, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Small-signal equivalent circuit model of GaN-based nanodiodes at low temperature including trap-related low frequency dispersion.
    Pérez-Martín, E. ; González, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-28), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Low voltage cold and hot switching in nanoswitches cleaned by in situ oxygen plasma can achieve low stable contact resistance.
    Kumar, Deepak ; Walker, Casey M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-14), Heft 2, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Low temperature sputtering deposition of Al1−xScxN thin films: Physical, chemical, and piezoelectric properties evolution by tuning the nitrogen flux in (Ar + N2) reactive atmosphere.
    Signore, M. A. ; Serra, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-03-28), Heft 12, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Single-board low-noise fluxgate magnetometer.
    Dyer, T. ; Griffin, P. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-21), Heft 3, S. 1-6
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    Toward all-dislocation-ceramics for high ionic conductivity produced by dry pressing at relatively low temperatures with and without ultrasound.
    Yasui, Kyuichi ; Hamamoto, Koichi
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-02-28), Heft 8, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Reverse-bias current hysteresis at low temperature in GaN Schottky barrier diodes.
    Orfao, B. ; Abou Daher, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-07), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Fast low bias pulsed DC transport measurements for the investigation of low temperature transport effects in semiconductor devices.
    Fuchs, C. ; Hofer, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-07), Heft 17, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Enhancing spin–orbit torques with a low voltage in metallic multi-layered heterostructures.
    He, Zhexi ; Zhao, Yifan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-10-21), Heft 15, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Low temperature spin relaxation length exceeding 3 μm in highly conductive copper channels.
    Shen, Xingyu ; Ji, Yi
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-10-14), Heft 14, S. 1-7
    Online academicJournal
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    The laser-induced rearrangement of extended defects in crystalline CdTe at a low temperature.
    Krivobok, V. S. ; Nikolaev, S. N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-07), Heft 17, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Experimental and theoretical investigations of the radiation-induced conductivity in spacecraft polymers at extremely low temperatures.
    Tyutnev, Andrey ; Saenko, Vladimir ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-09-07), Heft 9, S. 1-10
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    Low voltage thick-film electroluminescent device with evaporated ZnS:Mn and spin coated BaTiO3 dielectric layer.
    Kitawaki, Taisei ; Wani, Koichi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-07-28), Heft 4, S. 1-8
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    Role of ultrathin Ti<subscript>3</subscript>C<subscript>2</subscript>T<subscript>x</subscript> MXene layer for developing solution-processed high-performance low voltage metal oxide transistors.
    Rawat, Ankita ; Pandey, Utkarsh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-21), Heft 19, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Development of low-temperature impact-damage tolerant high entropy alloy with sequential multi-deformation mechanisms.
    Yoon, Kook Noh ; Oh, Hyunseok ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-05-07), Heft 17, S. 1-12
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    Plasma-enhanced chemical vapor deposition a-SiOCN:H low-Z thin films for bulk acoustic wave resonators.
    Berger, Claudio ; Schneider, Michael ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-04-28), Heft 16, S. 1-10
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    Low temperature sputtering deposition of Al<subscript>1−x</subscript>Sc<subscript>x</subscript>N thin films: Physical, chemical, and piezoelectric properties evolution by tuning the nitrogen flux in (Ar + N<subscript>2</subscript>) reactive atmosphere.
    Signore, M. A. ; Serra, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-03-28), Heft 12, S. 1-11
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    Theory and inverse design of microperforated panels comprising arbitrary axial pore profiles for broadband low-frequency sound absorption.
    Vigneswar, O. V. ; Chandraprakash, C.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-04-07), Heft 13, S. 1-10
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    Effective passivation of p- and n-type In<subscript>0.53</subscript>Ga<subscript>0.47</subscript>As in achieving low leakage current, low interfacial traps, and low border traps.
    Lin, Y. H. G. ; Wan, H. W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-07), Heft 1, S. 1-7
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