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    Nano-analytical investigation of the forming process in an HfO2-based resistive switching memory
    Lefevre, Gauthier ; Dewolf, Tristan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-12-28), S. 244501-244501
    Online unknown
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    Impact of laser anneal on NiPt silicide texture and chemical composition
    Valery, A. ; Beneyton, Remi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-06-14), S. 225109-225109
    Online unknown
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    Comprehensive analysis of alternating current electrokinetics induced motion of colloidal particles in a three-dimensional microfluidic chip
    Peyrade, David ; Honegger, Thibault ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-05-21), S. 194702-194702
    Online unknown
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    Ultra wide band frequency characterization of integrated TiTaO-based metal–insulator–metal devices
    Vallée, Christophe ; Bermond, Cedric ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-08-15), S. 044110-44110
    Online unknown
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    Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
    Morris, Denis ; Regreny, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-07-15), S. 024317-24317
    Online unknown
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    Enhancement of the photoluminescence of silicon oxide defect states by combining silicon oxide with silicon nanowires
    Noé, Pierre ; Gentile, Pascal ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-07-01), S. 016103-16103
    Online unknown
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    High quality GaN microplatelets grown by metal-organic vapor phase epitaxy on patterned silicon-on-insulator substrates: Toward micro light-emitting diodes.
    Baril, Kilian ; Coulon, Pierre-Marie ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-06-28), Heft 24, S. 1-8
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    Nano-analytical investigation of the forming process in an HfO2-based resistive switching memory.
    Lefevre, Gauthier ; Dewolf, Tristan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-12-28), Heft 24, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Characterization of an RF-driven argon plasma at atmospheric pressure using broadband absorption and optical emission spectroscopy.
    Nayak, G. ; Simeni Simeni, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-12-28), Heft 24, S. 1-17
    Online academicJournal
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    Mechanical stress in InP and GaAs ridges formed by reactive ion etching.
    Landesman, Jean-Pierre ; Fouchier, Marc ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 182 (2020-12-14), Heft 22, S. 1-12
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    Role played by the nanowire/nanowire junctions in the electrical properties of semiconductor percolating silicon nanowire networks.
    Legallais, Maxime ; Thi Thu Thuy Nguyen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-11-28), Heft 20, S. 1-14
    Online academicJournal
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    Correlations between first-principles calculations and electric properties of HfO2:Al2O3 alloys for metal–insulator–metal (MIM) capacitor applications.
    Khaldi, O. ; Jomni, F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-10-07), Heft 13, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Two-step cycling process alternating implantation and remote plasma etching for topographically selective etching: Application to Si3N4 spacer etching.
    Renaud, Vincent ; Petit-Etienne, Camille ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-12-28), Heft 24, S. 1-17
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    Resistive switching study in HfO<subscript>2</subscript> based resistive memories by conductive atomic force microscopy in vacuum.
    Singh, A. K. ; Blonkowski, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-07-02), Heft 1, S. N.PAG- (12S.)
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Resistive switching study in HfO2 based resistive memories by conductive atomic force microscopy in vacuum.
    Singh, A. K. ; Blonkowski, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-07-02), Heft 1, S. N.PAG- (12S.)
    Online academicJournal
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    Electrical properties of metal/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/In<subscript>0.53</subscript>Ga<subscript>0.47</subscript>As capacitors grown on InP.
    Ferrandis, Philippe ; Billaud, Mathilde ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-04-28), Heft 16, S. N.PAG- (10S.)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electrical properties of metal/Al2O3/In0.53Ga0.47As capacitors grown on InP.
    Ferrandis, Philippe ; Billaud, Mathilde ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-04-28), Heft 16, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    Atomistic mechanisms of copper filament formation and composition in Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>-based conductive bridge random access memory.
    Nail, C. ; Blaise, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-07-21), Heft 2, S. 1-7
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Atomistic mechanisms of copper filament formation and composition in Al2O3-based conductive bridge random access memory.
    Nail, C. ; Blaise, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-07-21), Heft 2, S. 1-7
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    Impact of laser anneal on NiPt silicide texture and chemical composition.
    Feautrier, C. ; Ozcan, A. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-06-14), Heft 22, S. 1-9
    Online academicJournal
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