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    Au-free ohmic Ti/Al/TiN contacts to UID n-GaN fabricated by sputter deposition.
    Garbe, V. ; Weise, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-14), Heft 6, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Au-free ohmic Ti/Al/TiN contacts to UID n-GaN fabricated by sputter deposition
    Schmid, A. ; Garbe, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-14), Heft 6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Au-free ohmic Ti/Al/TiN contacts to UID n-GaN fabricated by sputter deposition
    Abendroth, Barbara ; Rafaja, David ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-14), S. 065703-65703
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Slow optical response of semi-insulating GaN film studied by terahertz emission and photoluminescence spectroscopy.
    Murakami, Fumikazu ; Mannan, Abdul ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-04-30), Heft 18, S. 1-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Compensation in (2¯01) homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
    Eisner, Brian A. ; Ranga, Praneeth ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-11-21), Heft 19, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Origin and annealing of deep-level defects in GaNAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Gelczuk, Ł. ; Stokowski, H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-05-14), Heft 18, S. 185706-1- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Isotype InGaN/GaN heterobarrier diodes by ammonia molecular beam epitaxy.
    Fireman, Micha N. ; Browne, David A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-02-07), Heft 5, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures: The effects of buffer acceptor and channel width.
    Peng, Enchao ; Wang, Xiaoliang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-10-21), Heft 15, S. 154507-154513
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Growth kinetics and electronic properties of unintentionally doped semi-insulating GaN on SiC and high-resistivity GaN on sapphire grown by ammonia molecular-beam epitaxy.
    Tang, H. ; Fang, Z. Q. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-08-01), Heft 8, S. 103701-1- (12S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films.
    Xu, F. J. ; Shen, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-01-15), Heft 2, S. 23528-23531
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electron transport properties of antimony doped SnO<subscript>2</subscript> single crystalline thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
    White, M. E. ; Bierwagen, O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-11-01), Heft 9, S. 93704-93709
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Slow optical response of semi-insulating GaN film studied by terahertz emission and photoluminescence spectroscopy
    Serita, Kazunori ; Murakami, Fumikazu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-05-14), S. 185706-185706
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped beta-Ga2O3
    Nguyen, Son Tien ; Goto, K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016), Heft 23
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped beta-Ga.sub.2O.sub.3
    Son, N. T. ; Goto, K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-12-21), Heft 23
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Compensation in ( 2 ¯ 01 ) homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Scarpulla, Michael A. ; Bhattacharyya, Arkka ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-11-21), S. 195703-195703
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Electron transport properties of antimony doped SnO2 single crystalline thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
    White, M. E. ; Bierwagen, O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-11-01), Heft 9, S. 093704-93704
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Origin and annealing of deep-level defects in GaNAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Kudrawiec, Robert ; Gelczuk, Ł. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-05-14), S. 185706-185706
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures: The effects of buffer acceptor and channel width
    Qu, Shenqi ; Wang, Zhanguo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-10-21), S. 154507-154507
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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