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67 Treffer

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    GaN crystals growth in the Na-Li-Ca flux by liquid phase epitaxy (LPE) technique
    Wu, Xi ; Hao, Hangfei ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 521 (2019), S. 30-33
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Growth evolution of SiGe graded buffers during LPE cooling process
    Wang, Jun ; Shen, Yu-Jack ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 502 (2018), S. 54-63
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Donchev, V. ; Milanova, M. ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 574 (2021)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth and optical characteristics of GaAs1−xSbx epilayer
    Wang, Yang ; Hu, Shuhong ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 463 (2017), S. 123-127
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    HgCdTe/CdZnTe LPE epitaxial layers: From material growth to applications in devices
    Tsybrii, Zinoviia ; Bezsmolnyy, Yuriy ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 529 (2020)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors : International conference on crystal growth;(ICCG-15) in conjunction with the [13th] international conference on vapor growth and epitaxy and the US biennial workshop on organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE-13)
    Guimaraes, S. ; de Lima, J. T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-purity InAs1-xSbx epilayer grown by a LPE technique
    Lv, Y. F. ; Hu, S. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 416 (2015), S. 96-99
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High-quality La~3Ga~5~.~5Ta~0~.~5O~1~4 and La~3Ga~5~.~5Nb~0~.~5O~1~4 LPE films for oscillators and resonators : American conference on crystal growth and epitaxy
    Klemenz, C.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 250 (2003), Heft NO 1-2, S. 34-40
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Growth kinetics of GaP in LPE : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Inatomi, Y. ; Horiuchi, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 2, S. 1428-1433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    MoO~3-Li~2O flux LPE growth of YIG films and its characterization : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Takagi, T. ; Fujino, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 1, S. 725-729
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Continuous change of supersaturation and evolution of oriented structure in dipping LPE process of YBa2Cu3O7−δ
    Guo, L. S. ; Chen, Y. Y. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 404 (2014), S. 69-74
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    LPE growth and characterization of InAs1−xNx films
    Lv, Y. F. ; Hu, S. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 398 (2014), S. 1-4
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    Milanova, M. ; Vitanov, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 346 (2012), Heft 1, S. 79-82
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    Wang, Q. W. ; Sun, C. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 327 (2011), Heft 1, S. 63-67
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    Azizi, M. ; Meissner, E. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 322 (2011), Heft 1, S. 74-77
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Homogeneous TMF melt-solution mixing during dipping LPE of (Hg,Cd)Te layers
    Bitterlich, H. ; Frank-Rotsch, C. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 318 (2011), Heft 1, S. 1034-1038
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High quality of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10mm grown on GaAs by the modified LPE technique
    Hu, S. H. ; Sun, C. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 311 (2009), Heft 8, S. 2309-2312
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
    Guimaraes, S. ; de Lima, J. T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Influence of substrate conductivity on layer thickness in LPE GaAs : Compound semiconductors in electronic and optoelectronic applications
    Olvera-Hernandez, J. ; de Jesus, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 268 (2004), Heft NO 3-4, S. 375-377
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of Formula Not Shown heterostructures formed by LPE. Part II. Effect of programmed temperature changes
    Shcheritsa, O. V. ; Mazhorova, O. S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 290 (2006), Heft 2, S. 357-362
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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