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    Metal-oxide-semiconductor devices with molecular beam epitaxy-grown Y2O3 on Ge : Molecular beam epitaxy; MBE-XV
    Chu, L. K. ; Lee, W. C. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 311 (2009), Heft NO 7, S. 2195-2198
    Konferenz
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    Molecular beam epitaxy-grown Al2O3/HfO2 high-k dielectrics for germanium : Molecular beam epitaxy; MBE-XV
    Lee, W. C. ; Chin, B. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 311 (2009), Heft NO 7, S. 2187-2190
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of a-plane GaN with the SiNx insertion layer grown by metal-organic chemical vapor deposition : Metalorganic vapor phase epitax ICMOVPE-XIV
    Ko, T. S. ; Wang, T. C. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 310 (2008), Heft 23, S. 4972-4975
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tunable light emissions from thermally evaporated In2O3 nanostructures grown at different growth temperatures : International conference on crystal growth;(ICCG-15) in conjunction with the [13th] international conference on vapor growth and epitaxy and the US biennial workshop on organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE-13)
    Ko, T. S. ; Chu, C. P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 2264-2267
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Depletion-mode GaAs-based MOSFET with Ga2O3(Gd2O3) as a gate dielectric : International conference on molecular beam epitaxty
    Tsai, P. J. ; Chu, L. K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 1013-1016
    Konferenz
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    Effect of diluted ammonia flow rate on undoped GaN epitaxial films grown by MOCVD : Crystal growth and epitaxy; ACCGE - 12
    Juang, F. S. ; Chu, T. K.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 225 (2001), Heft NOS 2-4, S. 145-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Quantum devices, MBE technology for the 21st century : International conference on molecular beam epitaxy
    Cho, A. Y. ; Sivco, D. L. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High brightness GaN vertical light emitting diodes on metal alloyed substrate for general lighting application : International conference on metal organic vapor phase epitaxy
    Tran, C. A. ; Chu, C. F. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 298 (2007), S. 722-724
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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