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    De-relaxation of plastically relaxed InAs/GaAs quantum dots during the growth of a GaAs encapsulation layer
    Saint-Girons, G. ; Sagnes, I. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-02-01), Heft 3, S. 536-540
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    GaAs nanowires formed by Au-assisted molecular beam epitaxy: Effect of growth temperature
    Harmand, J.C. ; Tchernycheva, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 301-302 (2007-04-01), S. 853-856
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and photoluminescence studies of InAsN quantum dots grown on GaAs by MBE
    Sallet, V. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 290 (2006-04-15), Heft 1, S. 80-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 684-687
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Functionalizing surfaces with arrays of clusters: role of the defects
    Melinon, P. ; Hannour, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1-2, S. 317-324
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Buried dislocation networks for the controlled growth of III-V semiconductor nanostructures
    Glas, F. ; Coelho, J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1-2, S. e1647
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst
    Mavel, Amaury ; Chauvin, Nicolas ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 458 (2017-01-15), S. 96-102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    InAs/InP nanowires grown by catalyst assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates
    Khmissi, H. ; Naji, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 344 (2012-04-01), Heft 1, S. 45-50
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural analysis of site-controlled InAs/InP quantum dots
    Fain, B. ; Elvira, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 334 (2011-11-01), Heft 1, S. 37-39
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Deep structural analysis of novel BGaN material layers grown by MOVPE
    Gautier, S. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 315 (2011), Heft 1, S. 288-291
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of arsenic species on the kinetics of GaAs nanowires growth by molecular beam epitaxy
    Sartel, C. ; Dheeraj, D.L. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010), Heft 14, S. 2073-2077
    academicJournal
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    Complete HVPE experimental investigations: Cartography of SAG GaN towards quasi-substrates or nanostructures
    Chelda-Gourmala, O. ; Trassoudaine, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010), Heft 12, S. 1899-1907
    academicJournal
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    Effects of GaNAsSb intermediate barriers on GaInNAsSb quantum well grown by molecular beam epitaxy
    Li, L.H. ; Sallet, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 263 (2004-03-01), Heft 1-4, S. 58-62
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Comparison of GaInNAs/GaAs and GaInNAs/GaNAs/GaAs quantum wells emitting over 1.3 μm wavelength
    Li, L.H. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 251 (2003), Heft 1, S. 403-407
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth and optical characterizations of InAs quantum dots on InP substrate: towards a 1.55 μm quantum dot laser
    Paranthoen, C. ; Platz, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 251 (2003), Heft 1, S. 230-235
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well
    Bian, L.F. ; Jiang, D.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 250 (2003), Heft 3, S. 339-344
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Metal-organic vapor-phase epitaxy of defect-free InGaAs/GaAs quantum dots emitting around 1.3 μm
    Saint-Girons, G ; Patriarche, G ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 235 (2002), Heft 1, S. 89-94
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Chemical lift-off and direct wafer bonding of GaN/InGaN P–I–N structures grown on ZnO.
    Pantzas, K. ; Rogers, D.J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 435 (2016-02-01), S. 105-109
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Structural and optical investigations of AlGaN MQWs grown on a relaxed AlGaN buffer on AlN templates for emission at 280 nm.
    Li, X. ; Le Gac, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 432 (2015-12-15), S. 37-44
    academicJournal
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