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    GaN crystals growth in the Na-Li-Ca flux by liquid phase epitaxy (LPE) technique
    Hao, Hangfei ; Xu, Zhuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 521 (2019-09-01), S. 30-33
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    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Georgiev, S. ; Donchev, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-01), S. 126335-126335
    Online unknown
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    Growth evolution of SiGe graded buffers during LPE cooling process
    Wang, Jun ; Quitoriano, Nathaniel J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 502 (2018-11-01), S. 54-63
    Online unknown
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    LPE growth and optical characteristics of GaAs 1− x Sb x epilayer
    Wang, Yang ; Wang, Chao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 463 (2017-04-01), S. 123-127
    Online unknown
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    Continuous change of supersaturation and evolution of oriented structure in dipping LPE process of YBa2Cu3O7−
    Yao, Xin ; Chen, Y. Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 404 (2014-10-01), S. 69-74
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    HgCdTe/CdZnTe LPE epitaxial layers: From material growth to applications in devices
    Bezsmolnyy, Yuriy ; Smolii, Mariia ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 529 (2020), S. 125295-125295
    Online unknown
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    High-purity InAs1-Sb epilayer grown by a LPE technique
    Xu, Yujin ; Lv, Yingfei ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 416 (2015-04-01), S. 96-99
    Online unknown
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    Growth of high purity InGaAs LPE layers and their characterization
    Fornuto, Gerardo ; Chen, Ru-Chang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 102 (1990-05-01), S. 477-480
    Online unknown
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    LPE growth and characterization of InAs1−xNx films
    Wang, Yunuan ; Qiu, F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 398 (2014-07-01), S. 1-4
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    Meissner, Elke ; Azizi, Maral ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 322 (2011-05-01), S. 74-77
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    Milanova, M. ; Koleva, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 346 (2012-05-01), S. 79-82
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Homogeneous TMF melt-solution mixing during dipping LPE of (Hg,Cd)Te layers
    Bitterlich, H. ; Frank-Rotsch, Ch. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 318 (2011-03-01), S. 1034-1038
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High quality of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10μm grown on GaAs by the modified LPE technique
    Dai, Nengli ; Sun, Congting ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-04-01), S. 2309-2312
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Direct-write e-beam sub-micron domain engineering in liquid phase epitaxy (LPE) LiNbO3 thin films and single crystal LiNbO3
    Hesselink, Lambertus ; Son, Ji-Won ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 280 (2005-06-01), S. 135-144
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    Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(1 1 1) by LPE
    Maruyama, Takahiro ; Naritsuka, Shigeya ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-01), S. e2155- (6S.)
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    TSSG pulling and LPE growth of KTa Nb1−O3 for optical waveguides
    Imai, Tadayuki ; Enbutsu, Kouji ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-01), S. e2099- (5S.)
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth of the PZNT91/9 film on the (001) SrTiO3 substrate
    Xu, Jiayue ; Zeng, Xinhua ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 262 (2004-02-01), S. 251-254
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    Hu, Song ; Deng, Huiyong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 327 (2011-07-01), S. 63-67
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-quality La3Ga5.5Ta0.5O14 and La3Ga5.5Nb0.5O14 LPE films for oscillators and resonators
    Klemenz, Christine
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 250 (2003-03-01), S. 34-40
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of heterostructures formed by LPE. Part II. Effect of programmed temperature changes
    Denisov, I.A. ; Popov, Yu. P. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 290 (2006-05-01), S. 357-362
    Online unknown
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