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    Organometallic vapor phase epitaxy of relaxed InPAs/InP as multiplication layers for avalanche photodiodes
    WANG, C. A ; DUERR, E. K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1583-1589
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth study of thin indium nitride layers on InP (10 0) by Auger electron spectroscopy and photoluminescence
    BEN KHALIFA, S ; SAIDI, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 9, S. 2608-2614
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved compositional uniformity of InGaAsP grown by MOCVD through modification of the susceptor temperature profile
    FISH, G. A ; MASON, B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 186 (1998), Heft 1-2, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -