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    Heat losses in a CVD reactor for polysilicon production: Comprehensive model and experimental validation
    RAMOS, A ; RODRIGUEZ, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 402 (2014), S. 138-146
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling and simulation of silicon epitaxial growth in Siemens CVD reactor
    HAOYIN, NI ; SHIJIE, LU ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 89-99
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural trends in Si dots formation on SiC surfaces using CVD environment
    PORTAIL, M ; VEZIAN, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 157-163
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of ions and electrons in electron-beam-excited plasma assisted CVD on nanocrystalline silicon film properties
    OHSHITA, Y ; YAMAGUCHI, K ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1394-1398
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Large thickness-dependent improvement of crystallographic texture of CVD silicon films on R-sapphire
    MOYZYKH, M ; SAMOILENKOV, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 383 (2013), S. 145-150
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature growth of epitaxial ( 1 0 0) silicon based on silane and disilane in a 300 mm UHV/CVD cold-wall reactor
    ADAM, T. N ; BEDELL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 23, S. 3473-3478
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A combined three-dimensional kinetic Monte Carlo and quantum chemistry study of the CVD of Si on Si(100) surfaces
    CAVALLOTTI, Carlo ; BARBATO, Alessandro ; et al.
    In: IWMCG-4: proceedings of the fourth International Workshop on Modeling in Crystal Growth, 4-7 November 2003, Kyushu, Japan, Jg. 266 (2004), Heft 1-3, S. 371-380
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Observation of sharp current peaks in resonant tunneling diode with strained Si0.6Ge0.4/Si(1 0 0) grown by low-temperature low-pressure CVD
    PING, HAN ; SAKURABA, M ; et al.
    In: Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1999: Proceedings of the Seventh International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, July 28-30, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 315-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reduced order model for the CVD of epitaxial silicon from silane and chlorosilanes
    VALENTE, Gianluca ; CAVALLOTTI, Carlo ; et al.
    In: Modeling in Crystal Growth: proceedings of the third International Workshop, Hauppauge, New York, USA, 18-20 October 2000, Jg. 230 (2001), Heft 1-2, S. 247-257
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth mode and electric properties of graphene and graphitic phase grown by argon-propane assisted CVD on 3C-SiC/Si and 6H-SiC
    PORTAL, M ; MICHON, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 349 (2012), Heft 1, S. 27-35
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Donor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD
    PEDERSEN, H ; BEYER, F. C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 5, S. 1321-1327
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
    CHOWDHURY, Iftekhar ; CHANDRASEKHAR, M. V. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 316 (2011), Heft 1, S. 60-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Nitrogen doping of 3C-SiC thin films grown by CVD in a resistively heated horizontal hot-wall reactor
    ZIELINSKI, M ; PORTAIL, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 13, S. 3174-3182
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fabrication of silicon quantum dots in SiNx multilayer using hot-wire CVD
    PANCHAL, A. K ; SOLANKI, C. S
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 9, S. 2659-2663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Etch rates near hot-wall CVD growth temperature for Si-face 4H-SiC using H2 and C3H8
    VANMIL, B. L ; LEW, K.-K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 2, S. 238-243
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Acceptor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD
    PEDERSEN, H ; BEYER, F. C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 13, S. 3364-3370
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of substrates on morphological evolution of a film in the silicon CVD process: approach by charged cluster model
    CHEONG, W. S ; YOON, D. Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 218 (2000), Heft 1, S. 27-32
    academicJournal
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    academicJournal
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Deposition and simultaneous etching of Si in the chemical vapor deposition (CVD) process : approach by the charged cluster model
    HWANG, N. M
    In: Journal of crystal growth, Jg. 205 (1999), Heft 1-2, S. 59-63
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Observation of nanometer silicon clusters in the hot-filament CVD process
    CHEONG, W. S ; HWANG, N. M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 204 (1999), Heft 1-2, S. 52-61
    academicJournal
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