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    Study towards integration of In0.53Ga0.47As on 300mm Si for CMOS sub-7nm node: Development of thin graded InxGa1−xAs buffers on GaAs
    Mols, Y. ; Kunert, B. ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 452 (2016), S. 244-247
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Study towards integration of In0.53Ga0.47As on 300mm Si for CMOS sub-7nm node: Development of thin graded InxGa1−xAs buffers on GaAs
    Mols, Y. ; Kunert, B. ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 452 (2016), S. 244-247
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Study towards integration of In0.53Ga0.47As on 300mm Si for CMOS sub-7nm node: Development of thin graded InxGa1−xAs buffers on GaAs
    Mols, Y. ; Kunert, B. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 452 (2016), S. 244-247
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    MBE—Enabling technology beyond Si CMOS
    Chang, P. ; Lee, W. C. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 323 (2011), Heft 1, S. 511-517
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Research advances on III-V MOSFET electronics beyond Si CMOS
    Kwo, J. ; Hong, M.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 311 (2009), Heft 7, S. 1944-1949
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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