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619 Treffer

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    Effect of V/III ratio on the growth of (112¯2) AlGaN by metalorganic vapour phase epitaxy
    Dinh, Duc V. ; Alam, S.N. ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 435 (2016), S. 12-18
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Silicon doping of semipolar (112¯2)AlxGa1−xN(0.50≤x≤0.55)
    Dinh, D. V. ; Pampili, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 451 (2016), S. 181-187
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Strain-driven synthesis of 〈112〉 direction InAs nanowires in V-grooved trenches on Si using InP/GaAs buffer layers
    Li, S. ; Zhou, X. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 449 (2016), S. 5-9
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Influence of trench period and depth on MOVPE grown (112¯2) GaN on patterned r-plane sapphire substrates.
    Caliebe, M. ; Tandukar, S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 440 (2016), S. 69-75
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Direct MOVPE growth of semipolar (112¯2) AlxGa1−xN across the alloy composition range
    Hatui, N. ; Rahman, A. A. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 437 (2016), S. 1-5
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Origin of faceted surface hillocks on semi-polar (112¯2) GaN templates grown on pre-structured sapphire
    Han, Yisong ; Caliebe, Marian ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 415 (2015), S. 170-175
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    MOVPE growth of semipolar (112¯2) Al1−xInxN across the alloy composition range (0≤x≤0.55)
    Hatui, Nirupam ; Frentrup, Martin ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 411 (2015), S. 106-109
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Evaluation of growth methods for the heteroepitaxy of non-polar (112¯0) GAN on sapphire by MOVPE
    Oehler, F. ; Sutherland, D. ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 408 (2014), S. 32-41
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Defect formation during the initial stage of physical vapor transport growth of 4H–SiC in the [112¯0] direction
    Ohshige, Chikashi ; Takahashi, Tatsuya ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 408 (2014), S. 1-6
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Onset of plastic relaxation in semipolar (112 2) InxGa1-xN/GaN heterostructures
    Koslow, I. L. ; Hardy, M. T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 388 (2014), S. 48-53
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Atomic force microscopic studies of stabilization of NaCl(113), (112) and (110) surfaces in ethanol, CdCl2/ethanol and HgCl2/ethanol
    KARINO, Wataru ; KODA, Hiraku ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 3, S. 676-681
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    MOVPE growth of semi-polar GaN light-emitting diode structures on planar Si(112) and Si(113) substrates
    Ravash, R. ; Dadgar, A. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 370 (2013), S. 288-292
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Stable structure and effects of oxygen on InN (101¯0) and (112¯0) surfaces
    Wang, J. ; Bai, D. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 327 (2011), Heft 1, S. 233-236
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN(11̄00) on Si(112) patterned substrates by MOCVD
    Izyumskaya, N. ; Liu, S. J. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 314 (2011), Heft 1, S. 129-135
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The effects of annealing on non-polar (112¯0) a-plane GaN films
    Hao, R. ; Zhu, T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 312 (2010), Heft 23, S. 3536-3543
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of nonpolar (112¯0) a-plane ZnO films grown under various Zn/O ratios by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Kyu Han, S. ; Kim, J. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 312 (2010), Heft 15, S. 2196-2200
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Structural property of m-plane ZnO epitaxial film grown on LaAlO3 (112) substrate
    Wang, W. L. ; Ho, Y. T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 312 (2010), Heft 8, S. 1179-1182
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth and characterization of CuAlSe2(112)/GaAs(100) heteroepitaxial layers grown by hot wall epitaxy method
    YOU, S. H ; HONG, K. J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 1, S. 18-23
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
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    academicJournal
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