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    Polycrystalline CuGaSe2 thin film growth and photovoltaic devices fabricated on alkali-free and alkali-containing substrates
    Ishizuka, Shogo ; Fons, Paul J.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 532 (2020-02-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High electron mobility Zn polar ZnMgO/ZnO heterostructures grown by molecular beam epitaxy : International conference on molecular beam epitaxty
    Tampo, H. ; Matsubara, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 358-361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The effects of thermal treatments on the electrical properties of phosphorus doped ZnO layers grown by MBE
    TAMPO, H ; SHIBATA, H ; et al.
    In: MBE XIII, 2004: 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, UK, 22-27 August 2004, Jg. 278 (2005), Heft 1-4, S. 268-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molecular beam epitaxial growth and characterization of CuInSe~2 and CuGaSe~2 for device applications : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Niki, S. ; Yamada, A. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 3, S. 1993-1999
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of N-doped and Ga + N codoped ZnO films by radical source molecular beam epitaxy : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Nakahara, K. ; Takasu, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 1, S. 503-508
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of undoped ZnO films for single crystal based device use by radical source molecular beam epitaxy (RS-MBE) : International conference on molecular beam epitaxy
    Nakahara, K. ; Takasu, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 923-928
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nucleation and growth of ZnO on (1120) sapphire substrates using molecular beam epitaxy : International conference on molecular beam epitaxy
    Fons, P. ; Iwata, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 911-916
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Natural ordering of ZnO1-xSex grown by radical source MBE
    IWATA, K ; YAMADA, A ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 2002: proceedings of the twelfth international conference on molecular beam epitaxy, San Francisco, CA, USA, 15-20 September 2002, Jg. 251 (2003), Heft 1-4, S. 633-637
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ZnO growth on Si by radical source MBE
    IWATA, K ; FONS, P ; et al.
    In: Proceedings of the 9th international conference on II-VI compounds, Kyoto, Japan, 1-5 November 1999, Jg. 214-15 (2000), S. 50-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Uniaxial locked growth of high-quality epitaxial ZnO films on (1 1 2 0)α-Al2O3
    FONS, P ; IWATA, K ; et al.
    In: Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1999: Proceedings of the Seventh International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, July 28-30, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 532-536
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nitrogen-induced defects in ZnO : N grown on sapphire substrate by gas source MBE
    IWATA, K ; FONS, P ; et al.
    In: Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1999: Proceedings of the Seventh International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, July 28-30, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 526-531
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3
    FONS, P ; IWATA, K ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 1998, Jg. 201202 (1999), S. 627-632
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Control of intrinsic defects in molecular beam epitaxy grown CuInSe2
    NIKI, S ; FONS, P. J ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 1998, Jg. 201202 (1999), S. 1061-1064
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The strain energy density of cubic epitaxial layers
    BOTTOMLEY, D. J ; FONS, P
    In: Journal of crystal growth, Jg. 160 (1996), Heft 3-4, S. 406-412
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Determination of the lattice constants of epitaxial layers
    BOTTOMLEY, D. J ; FONS, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 154 (1995), Heft 3-4, S. 401-409
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of N-doped and Ga+N-codoped ZnO films by radical source molecular beam epitaxy
    Nakahara, K. ; Takasu, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 237-239 (2002), S. 503-508
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Nitrogen-induced defects in ZnO:N grown on sapphire substrate by gas source MBE
    Iwata, K. ; Fons, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 526-531
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Uniaxial locked growth of high-quality epitaxial ZnO films on (1120)@a-Al'2O'3
    Fons, P. ; Iwata, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 532-536
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth of high-quality epitaxial ZnO films on @a-Al'2O'3
    Fons, P. ; Iwata, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 201-202 (1999), Heft 2-3, S. 627-632
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effects of strain on the growth and properties of CuInSe~2 epitaxial films : Molecular Beam Epitaxy 1996
    Niki, S. ; Fons, P. J. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 175/176 (1997), Heft 2, S. 1051-1056
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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