Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
973 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

973 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Wet etching generation of dislocation pits with clear facets in LEC-InAs single crystals
    Sun, Jing ; Shen, Guiying ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 526 (2019-11-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Inclusions in LEC-grown Si GaAs single crystals
    EICHLER, S ; FLIEGEL, W ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1410-1417
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Modeling of convective interactions and crystallization front shape in GaAs/LEC growth process : Crystal growth and crystal technology CGCT-4
    Faiez, R. ; Asadian, M.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 311 (2009), Heft 3, S. 688-694
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Investigation of asymmetry effects in a heater-magnet module for TMF VGF and LEC growth by three-dimensional numerical modeling : International conference on crystal growth;(ICCG-15) in conjunction with the [13th] international conference on vapor growth and epitaxy and the US biennial workshop on organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE-13)
    Kasjanow, H. ; Nacke, B. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1540-1545
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    LEC- and VGF-growth of SI GaAs single crystals-recent developments and current issues : 14th International conference on crystal growth; ICCG-14 and the 12th International conference on vapour growth and epitaxy; ICVGE-12
    Jurisch, M. ; Borner, F. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 275 (2005), Heft NO 1-2, S. 283-291
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    LEC growth of semi-insulating GaAs crystals in traveling magnetic field generated in a heater–magnet module
    Rudolph, P. ; Czupalla, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009), Heft 21, S. 4543-4548
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    200 mm GaAs crystal growth by the temperature gradient controlled LEC method : Crystal growth and epitaxy; ACCGE - 12
    Seidl, A. ; Eichler, S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 225 (2001), Heft NOS 2-4, S. 561-565
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Hydrogen neutralization effect in bulk N-type LEC InP materials : Crystal growth and epitaxy; ACCGE - 12
    Sun, N. ; Wu, X. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 225 (2001), Heft NOS 2-4, S. 244-248
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    H-vacancy complex VInH4 abundance and its influences in n-type LEC InP
    FUNG, S ; YOUWEN, ZHAO ; et al.
    In: American crystal growth and epitaxy 1999, Jg. 211 (2000), Heft 1-4, S. 174-178
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Double crucible LEC growth of In-doped GaAs using inner crucibles with a bottom tube
    HE, J ; KOU, S
    In: American crystal growth and epitaxy 1999, Jg. 211 (2000), Heft 1-4, S. 163-168
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    State of the art 6 SI GaAs wafers made of conventionally grown LEC-crystals
    FLADE, T ; JURISCH, M ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 1: 12th International Conference on Crystal Growth. Sections I-XI, Jg. 198-99 (1999), S. 336-342
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Carrier mobility distribution in annealed undoped LEC InP material
    ZHAO, Y. W ; FUNG, S ; et al.
    In: American crystal growth and epitaxy 1999, Jg. 211 (2000), Heft 1-4, S. 179-183
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Thermal stress simulation and interface destabilisation in indium phosphide grown by LEC process
    GONDET, S ; DUFFAR, T ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 1: 12th International Conference on Crystal Growth. Sections I-XI, Jg. 198-99 (1999), S. 129-134
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Oxygen incorporation in undoped LEC-GaAs
    GÄRTNER, G ; FLADE, T ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 1: 12th International Conference on Crystal Growth. Sections I-XI, Jg. 198-99 (1999), S. 355-360
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Carbon, oxygen, boron, hydrogen and nitrogen in the LEC growth of SI GaAs : a thermochemical approach
    KORB, J ; FLADE, T ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 1: 12th International Conference on Crystal Growth. Sections I-XI, Jg. 198-99 (1999), S. 343-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals
    XIAOLONG, ZHOU ; YOUWEN, ZHAO ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 264 (2004), Heft 1-3, S. 17-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    LEC growth of In-doped GaAs with bottom solid feeding
    HE, J ; KOU, S
    In: Journal of crystal growth, Jg. 216 (2000), Heft 1-4, S. 21-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A visco-plastic model of the deformation of InP during LEC growth taking into account dislocation annihilation
    GONDET, S ; DUFFAR, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 252 (2003), Heft 1-3, S. 92-101
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -