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    Crystal growth and characterization of l-tyrosine bromide (LTB) nonlinear optical single crystals
    Anandan, P. ; Saravanan, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010), Heft 6, S. 837-841
    academicJournal
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    serialPeriodical
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    Crystal growth and characterization of l-tyrosine bromide (LTB) nonlinear optical single crystals
    Anandan, P. ; Vasudevan, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-03-01), S. 837-841
    Online unknown
    Zugriff:
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    Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.
    Komninou, Ph. ; Gladkov, P. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 396 (2014-06-15), S. 54-60
    academicJournal
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    academicJournal
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Effect of strained layer on GaAs power field effect transistor using low temperature buffer
    Sano, Seigo ; Heidarpour, Ebrahim ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 150 (1995-05-01), Heft 0, S. 1246-1251
    serialPeriodical
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    Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates
    Komninou, Ph. ; Karakostas, Th. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 396 (2014-06-01), S. 54-60
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Growth of Cu2O thin films with high hole mobility by introducing a low-temperature buffer layer
    Akimoto, Katsuhiro ; Shen, Aidong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-02-01), S. 1102-1105
    Online unknown
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    Revealing growth defects in non-linear borate single crystals by chemical etching
    Beregi, E. ; Polgár, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 209 (2000), S. 102-109
    Online unknown
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of strained layer on GaAs power field effect transistor using low temperature buffer
    Sano, Seigo ; Heidarpour, Ebrahim ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 150 (1995-05-01), S. 1246-1251
    Online unknown
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low temperature GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy
    Choi, K. Y. ; Droopad, Ravi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 120 (1992-05-01), S. 200-205
    Online unknown
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    Electrical and optical characterization of gas source and solid source MBE low temperature buffers
    Johnson, D.A. ; Shiralagi, K. T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 111 (1991-05-01), S. 43-49
    Online unknown
    Zugriff:
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    Surface morphology improvement of GaAs-on-Si using a two-reactor MOCVD system and an AlAs/GaAs low temperature buffer layer: an approach to crack-free GaAs-on-Si
    Nishimura, Tetsuya ; Mitsui, Kotaro ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 107 (1991), S. 468-472
    Online unknown
    Zugriff:
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    3C-SiC/Si template growth and atomic layer epitaxy of cubic GaN by RF-MBE
    Kikuchi, T. ; Miyauchi, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1/2, S. e1215
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    3C-SiC/Si template growth and atomic layer epitaxy of cubic GaN by RF-MBE
    Ohachi, T. ; Wada, Motoi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-01), S. e1215- (7S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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