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    MOCVD growth of InGaAsP/InGaAs multi-step-quantum well structure for qwip application by using TBA and TBP in N2 ambient
    ZHAO, J. H ; TANG, X. H ; et al.
    In: ICMAT 2003: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies, Symposium H: Compound Semiconductors in Electronic and Optoelectronic Applications, Jg. 268 (2004), Heft 3-4, S. 432-436
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Lasing properties of AlGaAs/GaAs material diode lasers grown by MOCVD using TBA in N2 ambient
    BAOXUE, BO ; XIAOHONG, TANG ; et al.
    In: ICMAT 2003: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies, Symposium H: Compound Semiconductors in Electronic and Optoelectronic Applications, Jg. 268 (2004), Heft 3-4, S. 415-419
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    MOVPE growth of Al-free 808 nm high power lasers using TBP and TBA in pure N2 ambient
    XIAOHONG, TANG ; BAOLIN, ZHANG ; et al.
    In: Photonic materials and devices: proceedings of the ICMAT 2005 Symposium M, Jg. 288 (2006), Heft 1, S. 23-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    InGaAsP/GaInP/AlGaInP 0.8 μm QW lasers grown by MOCVD using TBP and TBAs
    DONG, J. R ; TENG, J. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 281 (2005), Heft 2-4, S. 323-327
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain effects on highly strained InAsP/InGaP multi-quantum well structures grown by MOVPE using TBAs and TBP
    CAMPI, R ; CODATO, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 265 (2004), Heft 3-4, S. 357-366
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    MOVPE growth of Al-free 808nm high power lasers using TBP and TBA in pure N2 ambient : Photonic materials and devices; ICMAT 2005
    Tang, X. ; Zhang, B. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 288 (2006), Heft 1, S. 23-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    LP-MOVPE growth of InAs quantum dots using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N2 ambient : Compound semiconductors in electronic and optoelectronic applications
    Huang, G. S. ; Tang, X. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 268 (2004), Heft NO 3-4, S. 444-448
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Lasing properties of AlGaAs/GaAs material diode lasers grown by MOCVD using TBA in N2 ambient : Compound semiconductors in electronic and optoelectronic applications
    Bo, B. ; Tang, X. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 268 (2004), Heft NO 3-4, S. 415-419
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MOVPE growth of InAlAs using TBAs and DitBuSi for HEMT applications : Metalorganic vapor phase epitaxy
    Keiper, D. ; Velling, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 248 (2003), S. 153-157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs : Metalorganic vapor phase epitaxy
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 248 (2003), S. 119-123
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Tertiarybutylarsine (TBAs) and -phosphine (TBP) as group V-precursors for gas source molecular beam epitaxy for optoelectronic applications : International conference on molecular beam epitaxy
    Mayer, B. ; Reithmaier, J. P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 298-302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    LONGO, M ; MAGNANINI, R ; et al.
    In: ICMOVPE-XI: Proceedings of the Eleventh International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Berlin, Germany, 3-7 June 2002, Jg. 248 (2003), S. 119-123
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High contrast InP/InGaAsP grating MOCVD regrowth using TBA and TBP
    SKOGEN, Erik J ; BARTON, Jonathon S ; et al.
    In: 12th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Jg. 272 (2004), Heft 1-4, S. 564-569
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    MOVPE growth of InAlAs using tbas and DitBuSi for HEMT applications
    KEIPER, D ; VELLING, P ; et al.
    In: ICMOVPE-XI: Proceedings of the Eleventh International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Berlin, Germany, 3-7 June 2002, Jg. 248 (2003), S. 153-157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigations of (GaIn)(NAs) bulk layers and (GaIn)(NAs)/GaAs multiple quantum well structures grown using tertiarybutylarsine (TBAs) and 1,1-dimethylhydrazine (UDMHy)
    HÖHNSDORF, F ; KOCH, J ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 391-396
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of InGaAsP in a stagnation flow vertical reactor using TBP and TBA
    IN, KIM ; CHANG, D.-G ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 138-143
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    GaAs-based VCSEL-structures with strain-compensated (GaIn)As/Ga(PAs)-MQWH active regions grown by using TBAs and TBP
    ELLMERS, C ; LEU, S ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 630-636
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    C- and O-incorporation in (AlGa)As epitaxial layers grown by MOVPE using TBAs
    LEU, S ; HÖHNSDORF, F ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 98-104
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    GaNAs/GaInAs short-period superlattice quantum well structures grown by MOCVD using TBAs and DMHy
    MIYAMOTO, T ; SATO, S ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 421-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    InGaAsP/GaInP/AlGaInP 0.8mm QW lasers grown by MOCVD using TBP and TBAs
    Dong, J. R. ; Teng, J. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 281 (2005), Heft 2-4, S. 323-327
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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