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    Different architectures of relaxed Si 1− xGe x/Si pseudo-substrates grown by low-pressure chemical vapor deposition: Structural and morphological characteristics
    Raïssi, M. ; Regula, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 328 (2011), Heft 1, S. 18-24
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of heat transfer and melt flow in Czochralski growth of Si~1~ ~-~ ~xGe~x crystals : International Workshop on Modeling in Crystal Growth
    Smirnova, O. V. ; Kalaev, V. V. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 266 (2004), Heft NO 1-3, S. 74-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reactive ion etching of Si~1~ ~xGe~x alloy with hydrogen bromide : International conference on molecular beam epitaxy
    Guo, L. ; Li, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 801-804
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth and structural characterization of RbTi 1−xGe xOPO 4 crystals
    Vilalta, A. ; Carvajal, J.J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008), Heft 10, S. 2633-2639
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High current density and high PVCR Si/Si 1−xGe x DQW RTD formed with quadruple-layer buffer
    Maekawa, Hirotaka ; Sano, Yoshihiro ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 301 (2007), S. 1017-1020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Intersubband absorption in p-type Si 1−xGe x quantum dots on pre-patterned Si substrates made by a diblock copolymer process
    Cha, Dongho ; Ogawa, Masaaki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 301 (2007), S. 833-836
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Segregation coefficients of various dopants in Si xGe 1−x (0.93< x
    Yonenaga, I. ; Ayuzawa, T.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 297 (2006), Heft 1, S. 14-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Mechanisms of diffusion-enhanced thermal stability of Si/Si 1− xGe x/Si heterostructures grown by chemical vapor deposition
    Bentzen, A. ; Menon, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 261 (2004), Heft 1, S. 22-29
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Liquid phase epitaxy of KTiOPO 4 on KTi 1− xGe xOPO 4 substrates
    Solé, R. ; Nikolov, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237 (2002), Heft Part 1, S. 602-607
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Lateral photovoltage scanning (LPS) method for the visualization of the solid–liquid interface of Si 1− xGe x single crystals
    Abrosimov, N.V. ; Lüdge, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237 (2002), Heft Part 1, S. 356-360
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Spectro-ellipsometric monitoring and characterization of the growth of Si/Si 1− xGe x multiple quantum wells
    Akazawa, Housei
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237 (2002), Heft Part 1, S. 393-397
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reactive ion etching of Si 1− xGe x alloy with hydrogen bromide
    Guo, Lin ; Li, Kaicheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 227 (2001), S. 801-804
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Structural characterisation and stability of Si 1− xGe x/Si(1 0 0) heterostructures grown by molecular beam epitaxy
    Re, M ; Scalese, S ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 227 (2001), S. 749-755
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Epitaxial alloy films of Zintl-phase Ca(Si 1− xGe x) 2
    Vogg, G. ; Miesner, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 223 (2001), Heft 4, S. 573-576
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A surface kinetics model for the growth of Si 1− xGe x by UHV/CVD using SiH 4/GeH 4
    Zhuo, Yu ; Daizong, Li ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 218 (2000), Heft 2, S. 245-249
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Gallium-induced defect states in Pb 1− xGe xTe alloys
    Skipetrov, E.P ; Zvereva, E.A ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 210 (2000), Heft 1, S. 292-295
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Ytterbium-induced Jahn–Teller states in Pb 1− xGe xTe alloys
    Skipetrov, E.P ; Chernova, N.A ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 210 (2000), Heft 1, S. 288-291
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth mode of thin Si 1− xGe x films on Si (1 0 0) monitored by spectroscopic ellipsometry
    Akazawa, Housei
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 209 (2000), Heft 2, S. 311-314
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth of Ge-rich Si xGe 1− x single crystal with uniform composition ( x=0.02) on a compositionally graded crystal for use as GaAs solar cells
    Nakajima, Kazuo ; Kodama, Shigeo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 205 (1999), Heft 3, S. 270-276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
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