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    Improvement of crystal quality of AlN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AlN/GaN) multi-buffer layer
    NIIKURA, E ; MURAKAWA, K ; et al.
    In: Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, 22-26 May 2006, Jg. 298 (2007), S. 345-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of thick GaN films on 2-inch ScAlMgO4 substrates by halide vapor phase epitaxy.
    Zhang, Haitao ; Takeda, Shoma ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 625 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing.
    Uesugi, Kenjiro ; Hayashi, Yusuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 510 (2019-03-15), S. 13-17
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Quality improvement of ZnTe crystals by annealing in In and Zn vapor.
    Wei, Lingli ; Huang, Changbao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 630 (2024-03-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thick nonpolar m-plane and semipolar [formula omitted] GaN on an ammonothermal seed by tri-halide vapor-phase epitaxy using GaCl3.
    Iso, Kenji ; Matsuda, Karen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 461 (2017-03-01), S. 25-29
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (112̄2) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire
    Leung, Benjamin ; Sun, Qian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 341 (2012-02-15), Heft 1, S. 27-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of green light-emitting diodes grown on semipolar (11–22) GaN/m-sapphire with different crystal qualities
    Oh, Dong-Sub ; Jang, Jong-Jin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 326 (2011-07-01), Heft 1, S. 33-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOVPE growth and high-temperature annealing of (10[formula omitted]0) AlN layers on (10[formula omitted]0) sapphire.
    Dinh, Duc V. ; Amano, Hiroshi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 502 (2018-11-15), S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Development of m-plane GaN anisotropic film properties during MOVPE growth on LiAlO<subscript> 2 </subscript> substrates
    Mauder, C. ; Reuters, B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-05-15), Heft 11, S. 1823-1827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of NH<subscript>3</subscript> flow rate on m-plane GaN growth on m-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition
    Sun, Qian ; Yerino, Christopher D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-07-15), Heft 15, S. 3824-3829
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE
    Wu, Jie-Jun ; Katagiri, Yusuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-07-01), Heft 14, S. 3801-3805
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth of high-quality In-rich InGaN alloys by RF–MBE for the fabrication of InN-based quantum well structures
    Naoi, Hiroyuki ; Kurouchi, Masahito ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 288 (2006-03-01), Heft 2, S. 283-288
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of beta barium borate (β-BaB<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript>) thin films on alpha barium borate (α-BaB<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript>) substrates
    Liu, Junfang ; He, Xiaoming ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 277 (2005-04-15), Heft 1-4, S. 359-363
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Facet-controlled three-step growth of high-quality GaN on sapphire substrates by mass-production-type metalorganic vapor phase epitaxy
    Nitta, Shugo ; Yamamoto, Jun ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 438-443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electronic transport properties of GeS single crystals grown by vapor transport from molten GeS source.
    Nakamura, Masaru ; Víllora, Encarnación G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 609 (2023-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CdO epitaxial layers grown on (0 0 1) GaAs surfaces by metalorganic molecular-beam epitaxy
    Ashrafi, A.B.M.A. ; Kumano, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-01), Heft 1-1, S. 518-522
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Single crystal growth of submillimeter diameter sapphire tube by the micro-pulling down method.
    Kamada, Kei ; Murakami, Rikito ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 492 (2018-06-15), S. 45-49
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer.
    Kuboya, Shigeyuki ; Uesugi, Kenjiro ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 545 (2020-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    CdO epitaxial layers grown on (001) GaAs surfaces by metalorganic molecular-beam epitaxy
    ASHRAFI, A. B. M. A ; KUMANO, H ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the thirteen International Conference on Crystal Growth in conjuction with the eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July-4 August 2001. Part 1, Jg. 237-39 (2002), S. 518-522
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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