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    Electrothermal Analysis of CVD-Grown hBN Heat Spreader using Pt/Cu/Ti Micro-Coil.
    Bulya Nazim, Nur Julia Nazim ; Abdullah, Mohd Faizol ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-08-01), Heft 8, S. 4238-4247
    Online academicJournal
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    Robust Lateral Structure Memristor Based on MoS2 Synthesized by CVD.
    Chen, Jianbiao ; Xu, Jiangwen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-10-01), Heft 10, S. 5832-5841
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-Performance Field-Effect Transistor Fabricated on CVD-Grown MoS2 Monolayers with Indium Contacts.
    Mustafa, Hina ; Khan, Jahangir ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7157-7163
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Crack-and-Fold Style Defects in CVD Graphene on Raw Cu Foils.
    Sui, Yanping ; Zhang, Yanhui ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-07-01), Heft 7, S. 4403-4409
    Online academicJournal
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    Probing Sulfur Vacancies in CVD-Grown Monolayer MoS2 on SiO2/Si in the Temperature Range 750–900°C.
    Tomar, Rupika ; Hsu, Bo ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5513-5520
    Online academicJournal
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    Manoeuvring Morphological, Optical and Electrical Properties of CVD-Grown Ba-Doped SnO2 Nanostructures via Mn Co-Doping
    Sharma, Shalu ; Chhoker, Sandeep
    In: Journal of electronic materials, Jg. 49 (2020), Heft 12, S. 7325-7335
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Detecting the Repair of Sulfur Vacancies in CVD-Grown MoS2 Domains via Hydrogen Etching
    Hu, Shike ; Li, Jing ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 49 (2020), Heft 4, S. 2547-2555
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Growth Temperature on Physical Properties of MoS2 Thin Films Synthesized by CVD.
    Ardahe, Mahnoosh ; Hantehzadeh, Mohammad Reza ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-02-01), Heft 2, S. 1002-1008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Enhancement of the Electrical Properties of CVD-Grown Graphene with Ascorbic Acid Treatment.
    Tang, Chunmiao ; Chen, Zhiying ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-02-01), Heft 2, S. 1160-1164
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Temperature- and Hydrogen-Gas-Dependent Reversible Inversion of n-/ p-Type Conductivity in CVD-Grown Multilayer Graphene (MLG) Film.
    Dutta, D. ; Hazra, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-06-01), Heft 6, S. 2861-2869
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Undulate Cu(111) Substrates: A Unique Surface for CVD Graphene Growth.
    Zhang, Yaqian ; Zhang, Haoran ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-10-01), Heft 10, S. 3550-3555
    Online academicJournal
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    High-Performance Field-Effect Transistor Fabricated on CVD-Grown MoS<subscript>2</subscript> Monolayers with Indium Contacts.
    Mustafa, Hina ; Khan, Jahangir ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7157-7163
    Online academicJournal
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    Material Characterization of GeSn Alloys Grown by a Commercial CVD System for Optoelectronic Device Applications.
    Mosleh, Aboozar ; Ghetmiri, Seyed ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-04-01), Heft 4, S. 938-946
    Online academicJournal
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    Comparison of CVD- and MBE-grown GaN Nanowires: Crystallinity, Photoluminescence, and Photoconductivity.
    Chen, R.S. ; Tsai, H.Y. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 177-187
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    Study of Defect Structures in 6H-SiC a/ m-Plane Pseudofiber Crystals Grown by Hot-Wall CVD Epitaxy.
    Goue, Ouloide ; Raghothamachar, Balaji ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-04-01), Heft 4, S. 2078-2086
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    Probing Sulfur Vacancies in CVD-Grown Monolayer MoS<subscript>2</subscript> on SiO<subscript>2</subscript>/Si in the Temperature Range 750–900°C.
    Tomar, Rupika ; Hsu, Bo ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5513-5520
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    Study on the Thermoelectric Properties of CVD SiC Deposited with Inert Gases.
    Kim, Jun ; Choi, You ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40 (2011-05-01), Heft 5, S. 840-844
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    Robust Lateral Structure Memristor Based on MoS<subscript>2</subscript> Synthesized by CVD.
    Chen, Jianbiao ; Xu, Jiangwen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-10-01), Heft 10, S. 5832-5841
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    Nonlinear Optical Properties of Vertically-Aligned MoS2 Nanosheets.
    Rahmati, Bahareh ; Ghayeb-Zamharir, Sara ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-06-01), Heft 6, S. 3645-3651
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    Prospects of Impact Avalanche Transit-Time Diode Based on Chemical-Vapor-Deposited Diamond Substrate.
    Ghivela, Girish Chandra ; Sengupta, Joydeep
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-02-01), Heft 2, S. 1044-1053
    Online academicJournal
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