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    Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications
    Kaur, Jaspinder ; Basu, Rikmantra ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-07-16), S. 6335-6346
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    Electrical Properties of Dilute Nitride GaAsPN/GaPN MQW p–i–n Diode
    Özçelik, Süleyman ; Tataroğlu, Adem ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 46 (2017-03-27), S. 4590-4595
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    Investigation of microstructure and V-defect formation in InxGa1−xN/GaN MQW grown using temperature-gradient metalorganic chemical vapor deposition
    Wu, Junqiao ; Johnson, M.C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 34 (2005-05-01), S. 605-611
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    Optical characterization of (GaIn)(NAs)/GaAs MQW structures
    Koch, J. ; Stolz, Wolfgang ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), S. 165-168
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    Highly controlled lnGaAs(P)/lnP MQW interfaces grown by MOVPE using TBA and TBP precursors
    Ae, S. ; Torikai, Toshitaka ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-03-01), S. 457-461
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    Cathodoluminescence Study on Spatial Luminescence Properties of InN/GaN Multiple Quantum Wells Consisting of 1-Monolayer-Thick InN Wells/GaN Matrix
    Ishitani, Yoshihiro ; Yoshikawa, Akihiko ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2007-12-21), S. 597-602
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    Influence of Mg Doping on the Morphological, Optical, and Structural Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
    Chen, Zhe ; Nakamura, Shuji ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2007-12-06), S. 546-549
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    GaN/AIN multiple quantum wells grown on GaN-AIN waveguide structure by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Sugiyama, Masakazu ; Kumtornkittikul, Chaiyasit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-04-01), S. 744-749
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    Nitride-based near-ultraviolet multiple-quantum well light-emitting diodes with AlGaN barrier layers
    Tsai, J. M. ; Chang, Shoou-Jinn ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 32 (2003-05-01), S. 415-418
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    Temperature-dependent electroluminescence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
    Rowland, Larry B. ; Steven Francis Leboeuf ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 32 (2003-05-01), S. 316-321
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    In-situ monitoring, structural, and optical properties of ultrathin GaSb/GaAs quantum wells grown by OMVPE
    Pitts, O.J. ; Thewalt, M. L. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), S. 1412-1416
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    Structural and optical investigation of InGaN/GaN multiple quantum well structures with various indium compositions
    Kim, C. S. ; Hyung Koun Cho ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-10-01), S. 1348-1352
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    Modulation spectroscopy study of a strained layer GaAs/GaAsP multiple quantum well structure
    Gorea, Oleg ; Malikova, L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-11-01), S. 1346-1350
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    OMVPE growth of GaInAsSb/AlGaAsSb for quantum-well diode lasers
    Choi, H. K. ; Wang, C. A.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), S. 1231-1236
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    Molecular beam epitaxial growth of strained AIGalnAs multi-quantum well lasers on InP
    Tarsa, E. J. ; Mondry, M.J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), S. 948-954
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    Photoresponse study of normal incidence detection in p-type GaAs/AIGaAs multiple quantum wells
    Szmulowicz, F. ; Brown, G. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-05-01), S. 559-564
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    High quality compressively strained InP-based GaInAs(P)/GaInAsP multi-quantum well laser structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Seltzer, C. P. ; Spurdens, P.C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-02-01), S. 81-85
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    Critical layer thickness of strained-layer InGaAs/GaAs multiple quantum wells determined by double-crystal x-ray diffraction
    Groves, S.H. ; Reinold, J. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-11-01), S. 1365-1368
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    Quantitative and Depth-Resolved Investigation of Deep-Level Defects in InGaN/GaN Heterostructures
    Armstrong, Andrew M. ; Koleske, Daniel D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40, Heft 4, S. 369-376
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    Optical and Structural Properties of In0.08GaN/In0.02GaN Multiple Quantum Wells Grown at Different Temperatures and with Different Indium Supplies
    Jahn, U. ; Kneissl, Michael ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-03-26), S. 677-683
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