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    Crack-and-Fold Style Defects in CVD Graphene on Raw Cu Foils
    Kang, He ; Sui, Yanping ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-05-09), S. 4403-4409
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    Detecting the Repair of Sulfur Vacancies in CVD-Grown MoS2 Domains via Hydrogen Etching
    Sui, Yanping ; Zhang, Yanhui ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-01-27), S. 2547-2555
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    Effect of Growth Temperature on Physical Properties of MoS2 Thin Films Synthesized by CVD
    Mohammad Reza Hantehzadeh ; Ardahe, Mahnoosh ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2019-12-03), S. 1002-1008
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    Temperature- and Hydrogen-Gas-Dependent Reversible Inversion of n-/p-Type Conductivity in CVD-Grown Multilayer Graphene (MLG) Film
    Chandan Kumar Sarkar ; Hazra, S. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-02-17), S. 2861-2869
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    Material Characterization of Ge1−x Sn x Alloys Grown by a Commercial CVD System for Optoelectronic Device Applications
    Yu, Shui-Qing ; Conley, Benjamin R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-03-22), S. 938-946
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    Study on the Thermoelectric Properties of CVD SiC Deposited with Inert Gases
    Jun Gyu Kim ; Doo Jin Choi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40 (2011-03-11), S. 840-844
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    Growth and Characterization of Carbon Nanopearls on a Si Substrate by CVD Process
    Houston, S. ; Eyink, Kurt G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-02-21), S. 737-741
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    Real-Time In Situ Tracking of Gas-Phase Carbon-to-Silicon Ratio During Hot-Wall CVD Growth of SiC
    VanMil, Brenda L. ; Eddy, C. R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2007-10-09), S. 685-690
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    Improvements of the SiC homoepitaxy process in a horizontal cold-wall CVD reactor
    Wischmeyer, F. ; Hartnagel, Hans L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-03-01), S. 175-179
    Online unknown
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    Hydrogen incorporation in boron-doped 6H-SiC CVD epilayers produced using site-competition epitaxy
    Choyke, Wolfgang J. ; Devaty, Robert P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-04-01), S. 289-294
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    CVD-based tungsten carbide schottky contacts to 6H-SiC for very high-temperature operation
    Tagtstrom, P ; Östling, Mikael ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-03-01), S. 372-375
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    Adhesion of CVD tin on 316l surgical stainless steel obtained in a mass transfer regime
    Puchi, E. S. ; C. Julia Schmutz ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-09-01), S. 980-986
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    Improvement of the crystallinity of 3C-SiC films by lowering the electron temperatures in the afterglow plasma region using triode plasma CVD
    Ninagawa, N. ; Akahane, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-03-01), S. 178-182
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    The CVD growth of Cu films using H2 as carrier gas
    Lin, Pi-Jiun ; Chen, Mao-Chieh
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-05-01), S. 567-571
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    Double-level copper interconnections using selective copper CVD
    Arita, Yoshinobu ; Awaya, Nobuyoshi
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-10-01), S. 959-964
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    Processing and properties of CVD diamond for thermal management
    Jin, Sungho ; Mavoori, Hareesh
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-11-01), S. 1148-1153
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    Investigation of the role of charged species in hot filament assisted CVD of diamond
    Jesser, William A. ; Doty, F. P.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-02-01), S. 121-126
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    Film morphology and reaction rate for the CVD of tungsten by the WF6—SiH4 reaction
    Gokce, O. H. ; Sears, J. T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), S. 1531-1538
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    Incorporation of boron into UHV/CVD-grown germanium-silicon epitaxial layers
    Racanelli, Marco ; Greve, David W.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-06-01), S. 593-597
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    Heavily P-doped (≥1021 cm-3) Si and SiGe films grown by photo-CVD at 250° C
    Jia, Y. ; Takahashi, Kiyoshi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-10-01), S. 1083-1087
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