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    Anisotropic Optoelectronic Properties of MAPbI<subscript>3</subscript> on (100), (112) and (001) Facets
    Chen, Bo ; Bai, Yuchen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-12-01), Heft 12, S. 6881-6887
    Online academicJournal
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    Influence of Nucleation Layers on MOVPE Growth of Semipolar (112¯2) GaN on m-Plane Sapphire
    Rahman, A. Azizur ; Hatui, Nirupam ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-08-01), Heft 8, S. 4533-4539
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Correction to: Anisotropic Optoelectronic Properties of MAPbI<subscript>3</subscript> on (100), (112) and (001) Facets
    Chen, Bo ; Bai, Yuchen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-02-01), Heft 2, S. 921-921
    Online academicJournal
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    Microstructural Characterization of HgCdSe Grown by Molecular Beam Epitaxy on ZnTe/Si(112) and GaSb(112) Substrates
    Zhao, W. F. ; Brill, G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 41 (2012-10-01), Heft 10, S. 2852-2856
    Online academicJournal
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    Nucleation of ZnTe on the As-terminated Si(112) surface
    JAIME-VASQUEZ, M ; MARTINKA, M ; et al.
    In: 2006 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 36 (2007), Heft 8, S. 905-909
    Online Konferenz
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    In-situ spectroscopic study of the As and Te on the Si (112) surface for high-quality epitaxial layers
    JAIME-VASQUEZ, M ; MARTINKA, M ; et al.
    In: 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 35 (2006), Heft 6, S. 1455-1460
    Online Konferenz
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    Volltext (PDF)
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    Influence of arsenic on the atomic structure of the Si(112) surface
    ZAVITZ, Daniel H ; EVSTIGNEEVA, Alexandra ; et al.
    In: 2004 U.S. workshop on the physics and chemistry of II-VI materials, Jg. 34 (2005), Heft 6, S. 839-845
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Laser-Assisted Chemical Polishing of Silicon (112) Wafers
    Dandekar, Niru ; Chivas, Robert ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 41 (2012-10-01), Heft 10, S. 2790-2794
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    CdZnTe heteroepitaxy on 3″ (112) Si: Interface, surface, and layer characteristics
    Dhar, N. K. ; Boyd, P. R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-06-01), Heft 6, S. 748-753
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Anisotropic Optoelectronic Properties of MAPbI3 on (100), (112) and (001) Facets
    Xiong, Liwei ; Zhao, Hongyang ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-09-29), S. 6881-6887
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Characterization of Dislocations in (112)B HgCdTe/CdTe/Si : Physics and chemistry of II-VI materials
    Benson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 39 (2010), Heft 7, S. 1080-1086
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Topography and Dislocations in (112)B HgCdTe/CdTe/Si : Physics and chemistry of II-VI materials; Special issue: 2008 US workshop
    Benson, J. D. ; Smith, P. J. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 38 (2009), Heft 8, S. 1771-1775
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Plasma-Cleaned InSb (112)B for Large-Area Epitaxy of HgCdTe Sensors : Physics and chemistry of II-VI materials
    Jaime-Vasquez, M. ; Martinka, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 37 (2008), Heft 9, S. 1247-1254
    Online Konferenz
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    Volltext (PDF)
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    HgCdTe Heteroepitaxy on Three-Inch (112) CdZnTe/Si: Ellipsometric Control of Substrate Temperature : Physics and chemistry of II-VI materials
    Almeida, L. A. ; Dhar, N. K. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 29 (2000), Heft NO 6, S. 754-759
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impurity Gettering in (112)B HgCdTe/CdTe/Alternate Substrates
    Benson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 42 (2013-11-01), Heft 11, S. 3217-3223
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Dislocation Analysis in (112)B HgCdTe/CdTe/Si
    Benson, J. D. ; Farrell, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40 (2011-08-01), Heft 8, S. 1847-1853
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Heteroepitaxy of HgCdTe(112) infrared detector structures on Si(112) substrates by molecular-beam epitaxy
    De Lyon, T. J. ; Rajavel, R. D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), Heft 8, S. 1341-1346
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxy of HgCdTe(112) Infrared Detector Structures on Si(112) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy : 1995 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of HgCdTe and Other IR Materials
    DeLyon, T. J. ; Rajavel, R. D. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Jg. 25 (1996), Heft 8, S. 1341-1346
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dislocation arrangements in gaas/ga<subscript>1−x</subscript>ln<subscript>x</subscript>as multilayers grown on (001), (111) and (112) substrates
    Mitchell, T. E. ; Unal, O.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-07-01), Heft 7, S. 723-734
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Correction to: Anisotropic Optoelectronic Properties of MAPbI3 on (100), (112) and (001) Facets
    Tao, Hong ; Weng, Jun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2021-11-27), S. 921-921
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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