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    Guard rings: Structures, design methodology, integration, experimental results, and analysis for RF CMOS and RF mixed signal BiCMOS silicon germanium technology : Electrical overstress / electrostatic discharge; 2005 EOS/ESD symposium
    Voldman, S. H. ; Nicholas Perez, C. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 64 (2006), Heft NO 11, S. 730-743
    Konferenz
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    Comprehensive ESD protection approach in advanced CMOS SOI technologies : Electrical overstress / electrostatic discharge; 2005 EOS/ESD symposium
    Khazhinsky, M. G. ; Stockinger, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 64 (2006), Heft NO 11, S. 720-729
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection of single output buffers in advanced CMOS technologies : Electrical overstress / electrostatic discharge
    Khazhinsky, M. G. ; Miller, J. W. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 64 (2006), Heft 2, S. 137-146
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection design challenges for a high pin-count alpha microprocessor in a 0.13 mum CMOS SOI technology : Electrical overstress / electrostatic discharge; EOS/ESD
    Juliano, P. A. ; Anderson, W. R.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 62 (2004), Heft NOS 2/3, S. 113-132
    Konferenz
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    An automated design system methodology and strategy for electrostatic discharge protection circuits in RF CMOS and BiCMOS silicon germanium technology : Electrical overstress and electrostatic discharge; 2002 EOS/ESD symposium
    Voldman, S. H. ; Strang, S. E. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 59 (2002), Heft PT 3-4, S. 257-284
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High ESD performance, low power CMOS LNA for GPS applications : Electrical overstress and electrostatic discharge; 2002 EOS/ESD symposium
    Leroux, P. ; Vassilev, V. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 59 (2002), Heft PT 3-4, S. 179-192
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation on different ESD protection strategies devoted to 3.3 V RF applications (2GHz) in a 0.18 mum CMOS process : Electrical overstress / electrostatic discharge
    Richier, C. ; Salome, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 54 (2002), Heft 1, S. 55-72
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation on different ESD protection strategies devoted to 3.3V RF applications (2GHz) in a 0.18mm CMOS process
    Richier, C. ; Salome, P. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 54 (2002), Heft 1, S. 55-71
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Electrostatic discharge (ESD) protection in silicon-on-insulator (SOI) CMOS technology with aluminum and copper interconnects in advanced microprocessor semiconductor chips
    Voldman, S. ; Hui, D. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 49 (2000), Heft 3-4, S. 151-168
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    How to safely apply the LVTSCR for CMOS whole-chip ESD protection without being accidentally triggered on
    Ker, M.-D.M. D. ; Chang, H.-H.H. H.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 47 (1999), Heft 4, S. 215-248
    serialPeriodical
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    CMOS-on-SOI ESD protection networks
    Voldman, S. ; Schulz, R. ; et al.
    In: JOURNAL OF ELECTROSTATICS, Jg. 42 (1998), Heft 4, S. 333-350
    serialPeriodical
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