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    Investigations on BaMnxTi1-xO3 ferroelectric film based MFS structure for non-volatile memory application.
    Debnath, Ajit ; Lalwani, Suraj ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-01-15), Heft 2, S. 985-999
    Online academicJournal
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    Effect of longitudinal magnetic field annealing process on the properties and structures of soft magnetic Fe73.7Si15.3Cu1Nb3B7 nanocrystalline alloys.
    Geng, Junzhao ; Liu, Tiancheng ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-12-08), Heft 35, S. 26513-26521
    Online academicJournal
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    Progress in multiferroic and magnetoelectric materials: applications, opportunities and challenges.
    Kumar, Manish ; Shankar, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-11-15), Heft 22, S. 19487-19510
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    Lanthanum-doped BiFeO3/ZrO2 gate stack for ferroelectric field effect transistors.
    Singh, Amit ; Singh, Sanjai
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-10-01), Heft 19, S. 16189-16198
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    Ag microflake-reinforced nano-Ag paste with high mechanical reliability for high-temperature applications.
    Yang, Fan ; Hu, Bo ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 30 (2019-03-15), Heft 6, S. 5526-5535
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    Rietveld analysis of CaCuTiO thin films obtained by RF-sputtering.
    Foschini, C. ; Tararam, R. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 27 (2016-03-01), Heft 3, S. 2175-2182
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    Development of highly reliable BiFeO3/HfO2/Silicon gate stacks for ferroelectric non-volatile memories in IoT applications.
    Tripathi, Pramod Narayan ; Ojha, Sanjeev Kumar ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-12-15), Heft 24, S. 22107-22118
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    Effects of La doping on structural, magnetic, and ferroelectric properties of Aurivillius Bi6Fe1.4Co0.6Ti3O18 thin films.
    Zuo, Xuzhong ; Liu, Zhe ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 29 (2018-12-01), Heft 23, S. 20133-20140
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    Forward and reverse bias current-voltage (I-V) characteristics in the metal-ferroelectric-semiconductor (Au/SrTiO3/n-Si) structures at room temperature.
    Buyukbas-Ulusan, A. ; Altındal-Yerişkin, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 29 (2018-10-01), Heft 19, S. 16740-16746
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