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    Alternate lanthanum oxide/silicon oxynitride-based gate stack performance enhancement due to ultrathin oxynitride interfacial layer for CMOS applications
    Gupta, Prachi ; Soni, Mahesh ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-02-01), Heft 3, S. 1986-1995
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    Growth of SiGe layers in source and drain regions for 10 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)
    Wang, Guilei ; Kolahdouz, M. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020), Heft 1, S. 26-33
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    A thermally robust Ni-FUSI process using in 65 nm CMOS technology
    Tan, S. Y. ; Sung, C. L. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 18 (2007-08-01), Heft 8, S. 847-854
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    Fully relaxed Si<subscript>0.7</subscript>Ge<subscript>0.3</subscript> buffers grown on patterned silicon substrates for hetero-CMOS transistors
    Wöhl, G. ; Kasper, E. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 12 (2001-06-01), Heft 4-6, S. 235-240
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    Tungsten work function engineering for dual metal gate nano-CMOS
    Efavi, J. K. ; Mollenhauer, T. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 16 (2005-07-01), Heft 7, S. 433-436
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    CMOS photodetector systems for low-level light applications
    Faramarzpour, Naser ; El-Desouki, Munir M. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 20 (2009), Heft 1, S. 87-93
    Online academicJournal
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    Processing factors influencing the leakage current in shallow junction diodes for deep submicro-meter CMOS
    Grau, L. ; Augendre, E. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 12 (2001-06-01), Heft 4-6, S. 211-214
    Online academicJournal
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    Monitoring of stress reduction in shallow trench isolation CMOS structures via synchrotron X-ray topography, electrical data and raman spectroscopy
    Mcnally, P. J. ; Curley, J. W. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 10 (1999-07-01), Heft 5-6, S. 351-358
    Online academicJournal
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    SiGe band engineering for MOS, CMOS and quantum effect devices
    Wang, K. L. ; Thomas, S. G. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 6 (1995-10-01), Heft 5, S. 311-324
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    Dislocation generation in silicon during CMOS device processing
    Halfpenny, P. J.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 3 (1992-06-01), Heft 2, S. 107-112
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    Green synthesis of MnCr<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript> nanoparticles using Vernonia amygdalina (bitter leaf) for photocatalytic crystal violet dye degradation
    Ugwuoke, Cyril O. ; Temam, Abdudin G. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-11-01), Heft 31
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    Effect of interdigital transducers structure on insertion loss of high-frequency surface acoustic wave devices
    Li, Lianqiu ; Wang, Fang ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-09-01), Heft 27, S. 22017-22026
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    High-performance multilayer WSe<subscript>2</subscript> p-type field effect transistors with Pd contacts for circuit applications
    Zhang, Lu ; Zhang, Yadong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-07-01), Heft 13, S. 17427-17435
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    Structural and magnetic properties of CoMn<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript> synthesized by auto combustion method
    Kutty, Rajeesh Kumar Narayanan ; Kasturi, Palanisamy Rupa ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 30 (2019), Heft 2, S. 975-981
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    Effects of different metal electrodes on the ferroelectric properties of HZO thin films
    Xu, Pei ; Yan, Shaoan ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-10-01), Heft 28
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    Highly photosensitive MIS structure with embedded silicon film for solar cell and photodetection applications
    Chouaib, H. ; Aouassa, M. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-09-01), Heft 26
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    Investigation of ultrathin yttrium silicide for NMOS source/drain contacts
    Sun, Xianglie ; Xu, Jing ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-05-01), Heft 15
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    High dielectric response of TaO<subscript>X</subscript> thin film and its modification by controlling oxygen vacancy concentration
    Cai, Qingfeng ; Chen, Jianwen ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-04-01), Heft 11
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    High-sensitive MIS structures with silicon nanocrystals grown via solid-state dewetting of silicon-on-insulator for solar cell and photodetector applications
    Aouassa, Mansour ; Algarni, Saud A. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-08-01), Heft 24, S. 19376-19384
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    Study of the quasi-single crystalline lead sulfide film deposited by magnetron sputtering and its infrared detecting characteristics
    Xiao, Yonghong ; Xu, Tingwei ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-07-01), Heft 20, S. 16029-16044
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