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    Built-in electric field-assisted heterostructure electrolyte based on K<subscript>2</subscript>NiF<subscript>4</subscript>-type La<subscript>2</subscript>NiO<subscript>4</subscript> for solid oxide fuel cells
    Lu, Yuzheng ; Yousaf, Muhanmmud ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-06-01), Heft 18
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    The effect of bottom electrode on structure and electrical properties of BaZr<subscript>0.15</subscript>Ti<subscript>0.85</subscript>O<subscript>3</subscript> films on SrTiO<subscript>3</subscript> substrates
    Li, Yansong ; Fang, Xiaoying ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-03-01), Heft 8
    Online academicJournal
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    Thickness-dependent dielectric and ferroelectric properties of 0.7Bi(Fe<subscript>0.98</subscript>Mn<subscript>0.02</subscript>)O<subscript>3</subscript>-0.3PbTiO<subscript>3</subscript> thin films on stainless steel substrates
    Lu, Wenhui ; Jian, Jie ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022-06-01), Heft 17, S. 13939-13946
    Online academicJournal
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    Strengthened magnetoelectric coupling in Pb(Zr<subscript>0.52</subscript>Ti<subscript>0.48</subscript>)O<subscript>3</subscript>/Ni composite through interface modification with LaNiO<subscript>3</subscript> buffer layer
    Wang, Ao-pei ; Song, Guangxin ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-03-01), Heft 5, S. 5920-5927
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    (Ba/Pb)<subscript>x</subscript>Sr<subscript>1−x</subscript>TiO<subscript>3</subscript> based capacitive sensor with LaNiO<subscript>3</subscript> electrode for higher tunability
    Kumar, Abhishek ; Srivastava, Sulabh ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-11-01), Heft 22, S. 20387-20399
    Online academicJournal
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    Thickness-dependent dielectric and electrocaloric properties of Pb<subscript>0.85</subscript>La<subscript>0.1</subscript>(Zr<subscript>0.85</subscript>Ti<subscript>0.15</subscript>)O<subscript>3</subscript> antiferroelectric thin films on stainless steel substrates
    Zhai, Jian ; Lu, Wenhui ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 33 (2022), Heft 1, S. 399-405
    Online academicJournal
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    Effects of bottom electrodes on dielectric properties of epitaxial 2% Mn doped Ba(Zr<subscript>0.2</subscript>Ti<subscript>0.8</subscript>)O<subscript>3</subscript> thin films
    Jie, W. J. ; Zhang, Y.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 21 (2010-02-01), Heft 2, S. 149-152
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    Preparation and ferroelectric properties of (124)-oriented SrBi<subscript>4</subscript>Ti<subscript>4</subscript>O<subscript>15</subscript> ferroelectric thin film on (110)-oriented LaNiO<subscript>3</subscript> electrode
    Wang, Xi ; Wang, Pilong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 19 (2008-11-01), Heft 11, S. 1031-1034
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    Characterization of Sn-doped BST thin films on LaNiO<subscript>3</subscript>–coated Si substrate
    Hu, Wencheng ; Yang, Chuanren ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 19 (2008), Heft 1, S. 61-66
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    Fabrication and characterization of epitaxial Ba<subscript>0.6</subscript>Sr<subscript>0.4</subscript>TiO<subscript>3</subscript>/LaNiO<subscript>3 </subscript>heterostructures
    Qin, W. F. ; Xiong, J. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 18 (2007-09-01), Heft 9, S. 973-976
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    Effect of heat-treatment on LaNiO<subscript>3</subscript> film electrode of PZT thin films derived by a sol–gel method
    Lu, Wei ; Zheng, Ping ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 15 (2004-11-01), Heft 11, S. 739-742
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    Ferroelectric and dielectric properties of BF-PT/LNO thin films on different substrates
    Wang, Hao ; Zhai, Jian ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-02-01), Heft 3, S. 3334-3340
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    Dielectric property and energy-storage performance of (1–x)PbTiO<subscript>3</subscript>–xBi(Mg<subscript>0.5</subscript>Zr<subscript>0.5</subscript>)O<subscript>3</subscript> relaxor ferroelectric thin films
    Wang, Chao ; Sun, Ningning ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-02-01), Heft 3, S. 2063-2072
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