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    Fully relaxed Si<subscript>0.7</subscript>Ge<subscript>0.3</subscript> buffers grown on patterned silicon substrates for hetero-CMOS transistors
    Wöhl, G. ; Kasper, E. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 12 (2001-06-01), Heft 4-6, S. 235-240
    Online academicJournal
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    Tungsten work function engineering for dual metal gate nano-CMOS
    Efavi, J. K. ; Mollenhauer, T. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 16 (2005-07-01), Heft 7, S. 433-436
    Online academicJournal
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    Processing factors influencing the leakage current in shallow junction diodes for deep submicro-meter CMOS
    Grau, L. ; Augendre, E. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 12 (2001-06-01), Heft 4-6, S. 211-214
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Monitoring of stress reduction in shallow trench isolation CMOS structures via synchrotron X-ray topography, electrical data and raman spectroscopy
    Mcnally, P. J. ; Curley, J. W. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 10 (1999-07-01), Heft 5-6, S. 351-358
    Online academicJournal
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    SiGe band engineering for MOS, CMOS and quantum effect devices
    Wang, K. L. ; Thomas, S. G. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 6 (1995-10-01), Heft 5, S. 311-324
    Online academicJournal
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    Dislocation generation in silicon during CMOS device processing
    Halfpenny, P. J.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 3 (1992-06-01), Heft 2, S. 107-112
    Online academicJournal
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    The Crystallographic Properties of Strained Silicon Measured by X-Ray Diffraction
    Erdtmann, M. ; Langdo, T. A.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 17 (2006-02-01), Heft 2, S. 137-147
    Online academicJournal
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    High-k gate oxide for silicon heterostructure MOSFET devices
    Ray, S. K. ; Mahapatra, R. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 17 (2006-09-01), Heft 9, S. 689-710
    Online academicJournal
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    Correlating integrated circuit process-induced strain and defects against device yield and process control monitoring data
    Karilahti, M. ; Tuomi, T. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-05-01), Heft 5-7, S. 445-449
    Online academicJournal
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    Novel fabrication methods for submicrometer Josephson junction qubits
    Potts, A. ; Routley, P. R. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 12 (2001-06-01), Heft 4-6, S. 289-293
    Online academicJournal
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    Characterization of SiGe quantum-well p-channel MOSFETs
    Weidner, J. O. ; Hofmann, K. R. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 6 (1995-10-01), Heft 5, S. 325-329
    Online academicJournal
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    Si/SiGe quantum wells: fundamentals to technology
    Ismail, K. ; Meyerson, B. S.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 6 (1995-10-01), Heft 5, S. 306-310
    Online academicJournal
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