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    Temperature-dependent electron Hall mobility in LPE-grown InPBi/InP epilayers.
    Sharma, Akant Sagar ; Malathi, N. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-02-15), Heft 5, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Temperature-dependent electron Hall mobility in LPE-grown InPBi/InP epilayers
    Akant Sagar Sharma ; Malathi, N. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-02-01)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique
    Deng, H. Y. ; Wang, Q. W. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 22 (2011-07-01), Heft 7, S. 811-814
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Thick LPE layers of InAs<subscript>1−x </subscript>Sb<subscript> x </subscript> for 3–5 μm optoelectronic applications
    Popov, A. S. ; Tzeneva, S. L. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), Heft 10-12, S. 649-652
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Concentration profile and growth rate studies of In<subscript>1 − x </subscript>Ga<subscript> x </subscript>P LPE by computer simulation technique
    Dizaji, H. Rezagholipour ; Dhanasekaran, R.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 7 (1996-06-01), Heft 3, S. 181-185
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Investigations on the nucleation parameters of InGaAs grown on InP during LPE
    Jothilingam, R. ; Dhanasekaran, R. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 5 (1994-10-01), Heft 5, S. 267-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Thick LPE layers of InAs1−xSbx for 3–5 μm optoelectronic applications
    Popov, A. S. ; Tzeneva, S. L. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), Heft 1012, S. 649-650
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View Record at Journals@Ovid (Volltext)
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    academicJournal
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    Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique
    Qinnan, Wang ; Shuhong, Hu ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 22 (2010-09-23), S. 811-814
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Thick LPE layers of [InAs.sub.1-x]Sb.sub.x for 3-5 um optoelectronic applications
    Popov, A. S. ; Tzeneva, S. L. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), Heft 10, S. 649
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Concentration profile and growth rate studies of [In.sub.1 -x][Ga.sub.x]P LPE by computer simulation technique
    Dizaji, H. Rezagholipour ; Dhanasekaran, R.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 7 (1996-06-01), Heft 3, S. 181
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigations on the nucleation parameters of InGaAs grown on InP during LPE
    Dhanasekaran, R. ; Ramasamy, P. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 5 (1994-10-01), S. 267-271
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Thick LPE layers of InAs1−xSbxfor 3–5 μm optoelectronic applications
    Popov, A. ; Tzeneva, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), S. 649-652
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Concentration profile and growth rate studies of In1 ? x Ga x P LPE by computer simulation technique
    Dhanasekaran, R. ; H. Rezagholipour Dizaji
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 7 (1996-06-01)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Concentration profile and growth rate studies of In<subscript>1 − x</subscript>Ga<subscript>x</subscript>P LPE by computer simulation technique
    Dizaji, H. Rezagholipour ; Dhanasekaran, R.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 7 (1996-06-01), Heft 3, S. 181-185
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Thick LPE layers of InAs1-xSbx for 3-5 μm optoelectronic applications.
    Popov, A. S. ; Tzeneva, S. L. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), S. 649-652
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electronic properties and lateral inhomogeneous barrier heights of n-InP rods/p-Si heterojunction prepared by liquid phase epitaxy.
    El-Menyawy, E. ; Ashery, A. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 28 (2017-07-15), Heft 14, S. 10488-10494
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Structural, spectroscopic and electrical properties of liquid phase exfoliated few layered two-dimensional tungsten disulfide (WS2) using anionic surfactant.
    Roy, Arpita ; Kalita, Priyakshi ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-01-20), Heft 3, S. 1-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Thick LPE layers of InAs<subscript>1−x</subscript>Sb<subscript>x</subscript> for 3–5 μm optoelectronic applications.
    Popov, A. S. ; Tzeneva, S. L. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), Heft 10-12, S. 649-652
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    GaAsSbN-based p-i-n heterostructures for solar cell applications grown by liquid-phase epitaxy.
    Milanova, Malina ; Donchev, Vesselin ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020-02-01), Heft 3, S. 2073-2080
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    View record at Springer (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
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