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    Research on mixed alkaline-earth effect in non-alkali glass substrates for TFT-LCDs
    Liu, Jianlei ; Zou, Qiong ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 579 (2022-03-01)
    academicJournal
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    Very simple a-Si:H TFT fabrication process for LCD-TV application
    Le Contellec, Michel ; Maurice, François ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 97 (1987), Heft Part 1, S. 297-300
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High stability metal / a-SiN 0.5:H / metal diode for LCD application
    Yoshida, K. ; Uchida, H. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 137 (1991), Heft Part 2, S. 1287-1290
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Application of a-Si thin film diodes to active matrix LCD
    Urabe, K. ; Fujisawa, H. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 115 (1989), Heft 1, S. 33-35
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Technical developments and trends in a-Si TFT-LCDs
    Oana, Yasuhisa
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 115 (1989), Heft 1, S. 27-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Alumina barrier layers on LCD glass
    Fehlner, Francis P. ; Binkowski, Norbert J. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 195 (1996), Heft 1, S. 89-94
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Effects of composition on structures and properties of magnesium-aluminoborosilicate substrate glasses.
    Lu, Yadong ; Xie, Jun ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 627 (2024-03-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Flat panel display glass: Current status and future.
    Choi, Young Seok ; Yun, Jong Uk ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 431 (2016), S. 2-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Spectroscopic and electrical detection of intermediate phases and chemical bonding self-organizations in (i) dielectric films for semiconductor devices, and (ii) chalcogenide alloys for optical memory devices
    Lucovsky, G. ; Baker, D.A. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 353 (2007-06-15), Heft 18-21, S. 1713-1722
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Synthesis and environmental applications of aluminum-containing MCM-41 type material from industrial waste containing silicon and aluminum.
    Lin, Ya-Wen ; Lin, Kae-Long ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 569 (2021-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An optical feedback compensation circuit with a-Si:H thin-film transistors for active matrix organic light emitting diodes
    Kang, Moon Hyo ; Hur, Ji Ho ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 354 (2008-05-01), Heft 19-25, S. 2523-2528
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of a sheet forming apparatus for overflow fusion process by numerical simulation
    Lin, Huey-Jiuan ; Chang, Wei-Kuo
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 353 (2007-10-01), Heft 30/31, S. 2817-2825
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reduction of bulk and interface defects by network self-organizations in gate dielectrics for silicon thin film and field effect transistors (TFTs and FETs, respectively)
    Lucovsky, G. ; Phillips, J.C.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 352 (2006-11-15), Heft 42-49, S. 4509-4516
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High quality SiO.sub.2 gate insulator suitable for poly-Si TFTs on plastic substrates employing inductively coupled plasma-chemical vapor deposition with N.sub.2O plasma treatment and excimer laser annealing
    Han, Sang-Myeon ; Shin, Moon-Young ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 352 (2006-06-15), Heft 9-20, S. 1434-1437
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The characteristics of solid phase crystallized (SPC) polycrystalline silicon thin film transistors employing amorphous silicon process
    Lee, Won-Kyu ; Han, Sang-Myeon ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 354 (2008-05-01), Heft 19-25, S. 2509-2512
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High quality SiO<subscript>2</subscript> gate insulator suitable for poly-Si TFTs on plastic substrates employing inductively coupled plasma-chemical vapor deposition with N<subscript>2</subscript>O plasma treatment and excimer laser annealing
    Han, Sang-Myeon ; Shin, Moon-Young ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 352 (2006-06-15), Heft 9-20, S. 1434-1437
    academicJournal
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    Hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor using APC alloy for both gate and data bus lines
    Lee, Sang Wook ; Woo, In Keun ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 299-302 (2002-04-15), Heft Part 2, S. 1351-1354
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A new, laminar flow photo-CVD method for preparing hydrogenated amorphous silicon films
    Furukawa, Akihiko ; Iida, Yoshinori ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 137 (1991), Heft Part 2, S. 665-668
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Hydrogenated amorphous silicon thin film transistor fabricated by n+ anodization
    Bae, B.S. ; Jung, S.H. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 164-166 (1993-12-02), Heft Part 2, S. 743-746
    academicJournal
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