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    Cat-CVD (hot-wire CVD): how different from PECVD in preparing amorphous silicon
    MATSUMURA, Hideki ; UMEMOTO, Hironobu ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 19-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reaction mechanism of silicon Cat-CVD
    NAKAMURA, S ; MATSUMOTO, K ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 919-924
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of CNTs and nanographite grown by thermal CVD using different precursors
    PORRO, S ; MUSSO, S ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1310-1313
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Simulations of the gas flux distribution for different gas showers and filament geometries on the large-area deposition of amorphous silicon by hot-wire CVD
    PFLÜGER, A ; SCHRÖDER, B
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 36-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of atomic hydrogen in gas phase on a-Si:H and poly-Si growth by catalytic CVD
    UMEMOTO, Hironobu ; NOZAKI, Yoshitaka ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 9-13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of amorphous boron-carbon-nitrogen films by hot-wire CVD
    YOKOMICHI, H ; FUTAKUCHI, T ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 509-512
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influences of GeF4 on poly-SiGe films prepared by reactive thermal CVD
    ZHANG, J. J ; SHIMIZU, K ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1275-1278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The effect of substrate temperature on HW-CVD deposited a-SiGe:H films
    JADKAR, S. R ; SALI, Jaydeep V ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 168-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Phase-pure a-SiC:H films prepared by closed chamber CVD
    KOYNOV, Svetoslav ; TZOLOV, Marian ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 896-901
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of different carbon source gases on preparation and properties of a-Si1-XCX:H alloy films including μc-Si:H by hot-wire CVD
    ITOH, T ; FUJIWARA, T ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 880-884
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Carbon nanotubes and a-C films simultaneously fabricated by thermal CVD
    YOKOMICHI, H ; SAKAI, F ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 868-873
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Use of real-time ion-mass spectrometry and discharge voltage trending for analysis of a-Si DC plasma CVD processes
    GANGULY, G ; NEWTON, J ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 53-57
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Studies on grain boundaries in nanocrystalline silicon grown by hot-wire CVD
    FONRODONA, M ; SOLER, D ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 14-19
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of nickel disilicide nanowires by CVD
    IRIARTE, G. F
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 356 (2010), Heft 23-24, S. 1135-1144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    EXAFS study on poly-Si1-xGex films prepared by reactive thermal CVD method
    WAKAGI, Masatoshi ; YONAMOTO, Yoshiki ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 352 (2006), Heft 30-31, S. 3191-3195
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Influence of the deposition parameters on the microstructure and opto-electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon films by HW-CVD
    WAMAN, V. S ; KAMBLE, M. M ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 357 (2011), Heft 21, S. 3616-3622
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strong influence of boron doping on nanocrystalline silicon-carbide formation by using photo-CVD technique
    SEUNG YEOP, MYONG ; SHEVALEEVSKIY, Oleg ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 351 (2005), Heft 1, S. 89-92
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Highly conductive boron-doped nanocrystalline silicon-carbide film prepared by low-hydrogen-dilution photo-CVD method using ethylene as a carbon source
    SEUNG YEOP, MYONG ; HYUNG KEW, LEE ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 298 (2002), Heft 2-3, S. 131-136
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Raman scattering and electrical characterizations studies of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys prepared by 40 MHz plasma-enhanced CVD
    CHEN, Yu-Hung ; FANG, Hsuan-Yin ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 357 (2011), Heft 1, S. 1-3
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Morphological features of diamond-like carbon films deposited by plasma-enhanced CVD
    SUN, Z
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 261 (2000), Heft 1-3, S. 211-217
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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