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    CMOS compatible SOI nanowire FET with charged dielectric for temperature sensing applications
    Roizin, Yakov ; Rosenwaks, Yossi ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2019-12-03), S. 065101-65101
    Online unknown
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    Solution-processed high-k dielectrics for improving the performance of flexible intrinsic Ge nanowire transistors: dielectrics screening, interface engineering and electrical properties
    Xie, Zijian ; Yu, Xu ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 52 (2019-09-26), S. 505103-505103
    Online unknown
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    A review of III–V planar nanowire arrays: selective lateral VLS epitaxy and 3D transistors
    Zhang, Chen ; Miao, Xin ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-09-01), S. 393001-393001
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    SPICE modelling of magnetic tunnel junctions written by spin-transfer torque
    Baraduc, C. ; N. de Mestier ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 43 (2010-05-13), S. 215001-215001
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -