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    Characterisation of Mn-doped and nominally pure LPE GaxIn1-xAsyP1-y (y=2.1 x) between y=0 and y=1 using photoluminescence and electrical measurements
    SMITH, A. W ; SHANTHARAMA, L. G ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 16 (1983), Heft 4, S. 679-686
    Online academicJournal
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    The dependence of coercivity on domain wall energy of LPE garnet films
    VERTESY, G ; TOMAS, I ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 20 (1987), Heft 8, S. 1088-1090
    Online academicJournal
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    Lateral photovoltaic effect and magnetoresistance observed in Co-SiO2-Si metal-oxide-semiconductor structures
    XIAO, S. Q ; WANG, H ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 40 (2007), Heft 22, S. 6926-6929
    Online academicJournal
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    Comparison of LiNbO3 flux systems for deposition on RIE-etched LiTaO3 substrates
    MARSHALL, J. M ; WALKER, D ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 40 (2007), Heft 23, S. 7480-7484
    Online academicJournal
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    Large lateral photoeffect observed in metal-semiconductor junctions of CoxMnyO films and Si
    XIAO, S. Q ; WANG, H ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 40 (2007), Heft 18, S. 5580-5583
    Online academicJournal
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    Grazing incidence x-ray diffraction at free-standing nanoscale islands: fine structure of diffuse scattering
    GRIGORIEV, D ; HANKE, M ; et al.
    In: X-ray imaging and high-resolution diffraction, Jg. 36 (2003), Heft 10A, S. A225- (6S.)
    Online Konferenz
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    Effect of n--layer thickness on green-light-emitting efficiency in nitrogen-doped GaP grown by liquid phase epitaxy
    CHEN, Xian-Feng ; DING, Zu-Chang ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 33 (2000), Heft 21, S. 2703-2707
    Online academicJournal
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    Self-organized ordering of Si1-xGex nanoscale islands studied by grazing incidence small-angle x-ray scattering
    SCHMIDBAUER, M ; WLEBACH, T ; et al.
    In: Special issue on high resolution x-ray diffraction and topography, Jg. 32 (1999), Heft 10A, S. A230- (4S.)
    Online academicJournal
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    Liquid phase epitaxial growth of II-V semiconductor compound Zn3As2
    SUDHAKAR, S ; GANESH, V ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 40 (2007), Heft 17, S. 5071-5074
    Online academicJournal
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    Design considerations for uncooled InAs mid-infrared light emitting diodes grown by liquid phase epitaxy
    KRIER, A ; HUANG, X. L
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 39 (2006), Heft 2, S. 255-261
    Online academicJournal
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    Control of substrate heat flows by gaseous heat absorber as a method of epitaxy from solution-melt
    BAGANOV, Ye A ; KURAK, V. V ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 39 (2006), Heft 11, S. 2459-2464
    Online academicJournal
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    Luminescence anisotropy of InGaP layers grown by liquid phase epitaxy
    PRUTSKIJ, T ; DIAZ-ARENCIBIA, P ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 37 (2004), Heft 11, S. 1563-1568
    Online academicJournal
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    Growth of self-assembled PbSe quantum-dots on GaSb(100) by liquid phase epitaxy
    HUANG, X. L ; LABADI, Z ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 35 (2002), Heft 23, S. 3091-3095
    Online academicJournal
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    Interface-induced electroluminescence in the type II P-Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78/ n-In0.83Ga0.17As0.82Sb0.18 single heterojunction
    MOISEEV, K. D ; KRIER, A ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 35 (2002), Heft 7, S. 631-636
    Online academicJournal
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    Liquid phase epitaxial growth and morphology of InSb quantum dots
    KRIER, A ; HUANG, X. L ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 34 (2001), Heft 6, S. 874-878
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    Growth and characterization of Bi, Pr- and Bi, Sc-substituted lutetium iron garnet films with planar magnetization for magneto-optic visualization
    SYVOROTKA, Igor M ; UBIZSKII, Sergii B ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 34 (2001), Heft 8, S. 1178-1187
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    Synchrotron x-ray topography analysis of GaAs layers grown on GaAs substrates by liquid phase epitaxial lateral overgrowth
    RANTAMÄKI, R ; TUOMI, T ; et al.
    In: Special issue on high resolution x-ray diffraction and topography, Jg. 32 (1999), Heft 10A, S. A114- (5S.)
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    High power 4.6 μm light emitting diodes for CO detection
    KRIER, A ; GAO, H. H ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 32 (1999), Heft 24, S. 3117-3121
    Online academicJournal
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    Single-mode rib waveguides in (Yb,Nb): RbTiOPO4 by reactive ion etching
    CHOUDHARY, A ; CUGAT, J ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 46 (2013), Heft 14
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    N incorporation and photoluminescence in In-rich InGaAsN grown on InAs by liquid phase epitaxy
    DE LA MARE, M ; DAS, S. C ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 44 (2011), Heft 31
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