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    Design of CMOS active pixels based on finger-shaped PPD
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-10-01), S. 102301-102301
    Online unknown
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    A 0.1–1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier
    Zhang, Mingzhe ; Wu, Haifeng ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-06-01), S. 062401-62401
    Online unknown
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    An 8–18 GHz power amplifier with novel gain fluctuation compensation technique in 65 nm CMOS
    Ye, Jiao ; Wang, Tao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-12-01), S. 125008-125008
    Online unknown
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    An investigation of the DC and RF performance of InP DHBTs transferred to RF CMOS wafer substrate
    Wu, Lishu ; Cheng, Wei ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-04-18), S. 054004-54004
    Online unknown
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    An isolated SNM model for high-stability multi-port register file in 65 nm CMOS
    Zhang, Yuejun ; Li, Gang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-09-01), S. 095002-95002
    Online unknown
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    A 10 bit 200 MS/s pipeline ADC using loading-balanced architecture in 0.18 μm CMOS
    Wang, Linfeng ; Zhi, Hao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-07-01), S. 075003-75003
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    A 1.2 V, 3.1% 3σ-accuracy thermal sensor analog front-end circuit in 12 nm CMOS process
    Wang, Linfeng ; Junhua, Xiao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 42 (2021-03-01), S. 032401-32401
    Online unknown
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    Novel design techniques for noise-tolerant power-gated CMOS circuits
    Rastogi, Rumi ; Pandey, Sujata
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017), S. 015001-15001
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Total ionizing dose radiation effects on NMOS parasitic transistors in advanced bulk CMOS technology devices
    Jiangkun, Sheng ; Baoping, He ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-11-24), S. 124003-124003
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A common-gate bootstrapped CMOS rectifier for VHF isolated DC–DC converter
    Zhang, Feng ; Li, Jinliang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-06-01), S. 055002-55002
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 10-bit 110 MHz SAR ADC with asynchronous trimming in 65-nm CMOS
    Li, Xi ; Pu, Jie ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-04-01), S. 045003-45003
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 1 V 186-μW 50-MS/s 10-bit subrange SAR ADC in 130-nm CMOS process
    Mingyuan, Yu ; Ting, Li ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-07-01), S. 075005-75005
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A CMOS detection chip for amperometric sensors with chopper stabilized incremental ΔΣ ADC
    Jingbo, Xiao ; Jie, Chen ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-06-01), S. 065004-65004
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Perspective: optically-pumped III–V quantum dot microcavity lasers via CMOS compatible patterned Si (001) substrates
    Zhang, Jian-Jun ; Wang, Ting ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 40 (2019-10-01), S. 101303-101303
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A CMOS frontend chip for implantable neural recording with wide voltage supply range
    Li, Bin ; Zhang, Xu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-10-01), S. 105003-105003
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A CMOS analog front-end chip for amperometric electrochemical sensors
    Liu, Yuntao ; Li, Zhichao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-07-01), S. 075004-75004
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Measurement of charge transfer potential barrier in pinned photodiode CMOS image sensors
    Longsheng, Wu ; Cao, Chen ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-05-01), S. 054007-54007
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A low power CMOS VCO using inductive-biasing with high performance FoM
    Huang, Lu ; Liu, Weihao
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-04-01), S. 045001-45001
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 430 mW 16 b 170 MS/s CMOS pipelined ADC with 77.2 dB SNR and 97.6 dB SFDR
    Zhang, Hui ; Li, Dan ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-03-01), S. 035003-35003
    Online unknown
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    A 16 b 2 GHz digital-to-analog converter in 0.18 μm CMOS with digital calibration technology
    Tiehu, Li ; Weidong, Yang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-10-01), S. 105002-105002
    Online unknown
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