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    "Fully Integrated Cmos Multiple Mosfet-Stacked Double Push-Pull Rf Power Amplifier" in Patent Application Approval Process (USPTO 20240136982).
    In: Journal of Technology & Science, 2024-05-19, S. 863
    Zeitungsartikel
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    'Fully Integrated Cmos Multiple Mosfet-Stacked Double Push-Pull Rf Power Amplifier' in Patent Application Approval Process (USPTO 20240136982).
    In: Journal of Technology & Science, 2024-05-19, S. 863
    Zeitungsartikel
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    Reports from University of Jinan Advance Knowledge in Nanojunctions (Cmos-compatible Broad-band Hot Carrier Photodetection With Cu-silicon Nanojunctions).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-12-18, S. 1335
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Reports from Chinese Academy of Sciences Highlight Recent Findings in Electronics (A Cmos Bandgap Reference Based On Switched Capacitor With Temperature Compensation Method).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-04-17, S. 485
    Zeitungsartikel
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    Reports from Wuhan University Highlight Recent Findings in Microwave Research (A 24-ghz Active Up/down Bidirectional Mixer In 130-nm Rf Cmos).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-04-03, S. 2238
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    New Findings on Circuits and Signal Processing Described by Investigators at Chongqing University (A Sub-1 Ppm/degrees C Bandgap Voltage Reference With High-order Temperature Compensation In 0.18-mu M Cmos Process).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-02-13, S. 437
    Zeitungsartikel
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    Findings from University of Macau Broaden Understanding of Circuits and Signal Processing (A 529-mu W Fractional-n All-digital Pll Using Tdc Gain Auto-calibration and an Inverse-class-f Dco In 65-nm Cmos).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-01-30, S. 88
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Study Findings on Microelectronics Are Outlined in Reports from Chinese Academy of Sciences (Layout-based Mitigation of Single-event Transient for Monolithic 3d Cmos Integrated Circuits).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-01-30, S. 520
    Zeitungsartikel
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    Researchers from Hong Kong University of Science and Technology Detail Findings in Electron Devices (A Wafer-level Packaged Cmos Mems Pirani Vacuum Gauge).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-10-31, S. 1084
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Findings from Chinese Academy of Sciences Update Understanding of Electronics (A Pipeline Row Operation Method of Cmos Image Sensors).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-10-31, S. 58
    Zeitungsartikel
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    New Microelectromechanical Systems Findings from Hong Kong University of Science and Technology Outlined (A Reliable Liquid-based Cmos Mems Micro Thermal Convective Accelerometer With Enhanced Sensitivity and Limit of Detection).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-08-22, S. 924
    Zeitungsartikel
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    New Findings from Xi'an University of Technology Update Understanding of Electronics (Research On Column Fpn and Black Level Calibration In Large Array Cmos Image Sensor).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-06-13, S. 408
    Zeitungsartikel
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    Investigators from University of Science and Technology China Report New Data on Carbon Nanotubes (Printed Solid State Electrolyte Carbon Nanotube Thin Film Transistors for Sub-1 V Fully Printed Flexible Cmos Inverters).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-06-13, S. 2232
    Zeitungsartikel
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    Report Summarizes Circuits and Signal Processing Study Findings from National University of Defense Technology (A-20 Dbm Passive Uhf Rfid Tag Ic With Mtp Nvm In 0.13-mu M Standard Cmos Process).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-01-31, S. 642
    Zeitungsartikel
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    Studies from University of Electronic Science and Technology of China Describe New Findings in Optical Research (Poly-silicon Light-emitting-device Based Electro-optical Interfaces In Standard Silicon-cmos Integrated Circuitry).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-01-24, S. 612
    Zeitungsartikel
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    Study Results from Xidian University Provide New Insights into Circuits and Signal Processing (An 8-bit 2.1-mw 350-ms/s Sar Adc With 1.5 B/cycle Redundancy In 65-nm Cmos).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-01-17, S. 911
    Zeitungsartikel
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Data from Tianjin University Provide New Insights into Microelectronics (A Low-power Column-parallel Cyclic Adc for Cmos Image Sensor With Capacitance and Current Scaling).
    In: Journal of Technology & Science, 2020-11-29, S. 22
    Zeitungsartikel
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    Investigators from Chongqing University Report New Data on Circuits and Signal Processing (A 5-13.5 Gb/s Multistandard Receiver With High Jitter Tolerance Digital Cdr In 40-nm Cmos Process).
    In: Journal of Technology & Science, 2020-11-01, S. 187
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Reports from Xi'an Jiaotong University Describe Recent Advances in Circuits and Signal Processing (A 100 Mhz, 0.8-to-1.1 V, 170 Ma Digital Ldo With 8-cycles Mean Settling Time and 9-bit Regulating Resolution In 180-nm Cmos).
    In: Journal of Technology & Science, 2020-10-11, S. 585
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    Reports from Southern University of Science and Technology (SUSTech) Advance Knowledge in Circuits and Signal Processing (A-40 Degrees C To 120 Degrees C, 169 Ppm/degrees C Nano-ampere Cmos Current Reference).
    In: Journal of Technology & Science, 2020-10-11, S. 578
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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