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    Review--System-on-Chip SMO Gas Sensor Integration in Advanced CMOS Technology.
    Filipovic, Lado ; Lahlalia, Ayoub
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 165 (2018-12-15), Heft 16, S. B862- (18S.)
    academicJournal
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    Integration of a CMOS Preamplifier with a Lead Zirconate Titanate Resonant Frequency Microsensor.
    Rho, Kyeonglan ; Zurn, Shayne ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002-07-01), Heft 7, S. j53- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition and Characterization of Polycrystalline Si1-xGex Films for CMOS Transistors Gate Electrode Applications.
    Lo, Wai ; Lin, Hong ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), Heft 1, S. G110- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparison of internal gettering during bipolar, CMOS, and CCD (high, medium, low temperature) processes.
    Jastrzebski, L. ; Soydan, R. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987-04-01), S. 1018-1025
    academicJournal
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    The effect of CMOS processing on oxygen precipitation, wafer warpage, and flatness.
    Lee, Chang-Ou ; Tobin, P. J.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986-10-01), S. 2147-2152
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-source Al-0.5%Cu metallization for CMOS devices.
    Levy, R. A. ; Parrillo, L. C. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985), S. 159-168
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interaction between water and scaled CMOS FET's with phosphosilicate glass passivation films.
    Noyori, M. ; Nakata, Y.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 131 (1984-05-01), S. 1109-1114
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Two-step thermal anneal and its application to a CCD sensor and CMOS LSI.
    Ogino, M.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 130 (1983-06-01), S. 1397-1402
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of stacking faults during CMOS processing.
    Murarka, S. P.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-03-01), S. 716-724
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS Process-Compatible Wet-Etching Recipe for the High-k Gate Dielectrics Pr2O3 and Pr2-xTixO3.
    Mane, A. U. ; Wenger, Ch ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 152 (2005-01-06), Heft 6, S. C399- (4S.)
    academicJournal
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    Fully Silicided Metal Gates for High-Performance CMOS Technology: A Review.
    Maszara, W. P.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 152 (2005-01-07), Heft 7, S. G550- (6S.)
    academicJournal
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    Assessment of Anomalous Behavior in Hydrodynamic Simulation of CMOS Bulk and Partially Depleted SOI Devices.
    Munteanu, D. ; Le Carvel, G.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002-10-01), Heft 10, S. G574- (7S.)
    academicJournal
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    Suppression of arsenic autodoping with rapid thermal epitaxy for low power bipolar complementary metal oxide semiconductor.
    King, C. A. ; Johnson, R. W. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-07-01), S. 2430-2434
    academicJournal
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    A simple method to control bipolar polysilicon emitter interfacial oxide.
    Parekh, N. S. ; Taylor, R. V. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-11-01), S. 3167-3172
    academicJournal
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    The fabrication of CMOS structures with increased immunity to latchup using the two-step epitaxial process.
    Jastrzebski, L. ; Corboy, J. F. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985-12-01), S. 3057-3059
    academicJournal
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    High Doping Density/High Electric Field, Stress and Heterojunction Effects on the Characteristics of CMOS Compatible p-n Junctions.
    Simoen, E. ; Eneman, G. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 158 (2011-05-01), Heft 5, S. R27- (10S.)
    academicJournal
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    Electroless Gold Plating on Aluminum Patterned Chips for CMOS-Based Sensor Applications.
    Ko, Jung Woo ; Koo, Hyo Chol ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), Heft 1, S. D46- (4S.)
    academicJournal
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    3D Interconnect Process Integration and Characterization of Back Side Illuminated CMOS Image Sensor with 1.75 μm Pixels.
    Pyo, Sung Gyu ; Park, S. H. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 156 (2009-06-01), Heft 6, S. J143- (5S.)
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Shallow and Deep Trench Isolation Process Module for RF BiCMOS.
    Forsberg, Markus ; Johansson, Ted ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004-01-12), Heft 12, S. G839- (8S.)
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High Performance Submicrometer CMOS with Metal Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon.
    Joshi, Amol R. ; Saraswat, Krishna C.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003-08-01), Heft 8, S. G443- (7S.)
    academicJournal
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