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    Molecular Caulking: A pore sealing CVD polymer for ultralow k dielectrics
    JEZEWSKI, Christopher ; WIEGAND, Christopher J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 7, S. F157- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of undoped and nitrogen-doped 4H-SiC thin films by CVD from bis(trimethylsilylmethane) precursor
    JAE KYEONG, JEONG ; HO KEUN, SONG ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 4, S. G252- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effects of dilution gas and pressure on the properties of PE-CVD low-k film
    SHIOYA, Yoshimi ; KOTAKE, Yuichiro ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 2, S. F1- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon carbonitride films by remote hydrogen-nitrogen plasma CVD from a tetramethyldisilazane source
    WROBEL, A. M ; BŁASZCZYK-ŁEZAK, I ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 11, S. C723- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Metallorganic CVD of high-quality PZT thin films at low temperature with new Zr and Ti precursors having MMP ligands
    JIN SHI, ZHAO ; PARK, Dong-Yeon ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 5, S. C283- (9S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of CVD processes to perform dense α-alumina coating on superalloys
    BAHLAWANE, N ; BLITTERSDORF, S ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 3, S. C182- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD of nanosized ZnS and CdS thin films from single-source precursors
    BARRECA, Davide ; GASPAROTTO, Alberto ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 6, S. G428- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Volcano reactions in oxide vias between tungsten CVD and bias sputtered TiN/Ti films
    HERNER, S. B ; TANAKA, Y ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 5, S. 1982-1987
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Stagnation flow reactor investigation of tin oxide CVD from monobutyltin trichloride
    CHAE, Yongkee ; HOUF, William G ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 8, S. C527- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Single-source cvd of 3C-SiC films in a LPCVD reactor. II. Reactor modeling and chemical kinetics
    VALENTE, Gianluca ; WIJESUNDARA, Muthu B. J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 3, S. C215- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Physical and electrical properties of polycrystalline Si1-xGex deposited using single-wafer-type low pressure CVD
    RANG, Sung-Kwan ; JAE JIN, KIM ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 1, S. G13- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Copper barrier properties of low dielectric constant SiOCNH film deposited by plasma-enhanced CVD
    SHIOYA, Yoshimi ; ISHIMARU, Tomomi ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 1, S. C56- (6S.)
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization of HfO2 and HfOxNy gate dielectrics grown by PE metallorganic CVD with a TaN gate electrode
    CHOI, Kyu-Jeong ; KIM, Jeon-Ho ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 4, S. G262- (4S.)
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CVD of tantalum oxide dielectric thin films for nanoscale device applications
    WANXUE, ZENG ; EISENBRAUN, Eric ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 8, S. F172- (6S.)
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low temperature CVD of Pb(Zr, Ti)O3 using Pb(tmhd)2, Zr(dmae)4, and Ti(dmae)4
    KIM, Dae-Hwan ; YANG, Woo-Young ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 8, S. C516- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    In-line electrical metrology for high-K gate dielectrics deposited by atomic layer CVD
    DE WITTE, H ; PASSEFORT, S ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 9, S. F169- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Control of arsenic doping during low temperature CVD epitaxy of silicon (100)
    VAN NOORT, Wibo D ; NANVER, L. K ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 11, S. 4301-4304
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. I. Experimental study and determination of a gaseous phase mechanism
    YACOUBI, K ; AZZARO-PANTEL, C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 8, S. 3009-3017
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Classical and dynamic analysis of gas phase reactivity: Influence of carbon precursor in the CVD of SiC
    DE PERSIS, Stéphanie ; TEYSSANDIER, Francis ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 4, S. C236- (9S.)
    academicJournal
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    CVD epitaxial deposition in a vertical barrel reactor : process modeling and optimization using neural network models
    XING AN, WANG ; MAHAJAN, R. L
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 9, S. 3123-3132
    academicJournal
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